Коэрцитивное поле
Cтраница 3
Этот эффект выражен тем более четко, чем прямоугольнее отетля диэлектрического гистерезиса и чем меньше величина коэрцитивного поля Ек. Наличие ЭП является основным условием для использования сегнетоэлектриков в одном из двух стабильных состояний поляризации, информация о которых может быть интерпретирована как 0 или 1 в двоичной системе счисления - математической базе современной вычислительной техники. [31]
Пленка Со ( Р) при комнатной температуре равномерно намагничивается. Этот слой помещается во внешнее магнитное поле, направление которого параллельно поверхности и противоположно по отношению к коэрцитивному полю. Запись информации основана на том, что коэрцитивное поле уменьшается с повышением температуры и при Ткр по величине равно внешнему полю. Для пленки Со ( Р) достаточен нагрев до 450 К, чтобы коэрцитивное поле ( Як 4 5 - 103 А / м) было ниже внешнего магнитного поля. Поэтому в местах нагрева происходит изменение направления намагниченности. [32]
Вг, которое носит название остаточной индукции. Чтобы обратить в нуль индукцию в ферромагнитном материале, нужно приложить поле обратного направления Яс, которое называется коэрцитивным полем. Величины Вг и Яс являются важнейшими характеристиками материала. График на рис. 4 - 39 называют петлей гистерезиса. [34]
 |
Зависимость поляризации Р от напряженности поля Еп для в ориентированной ПВДФ-пленки. ( Измерение Еп при 104 Гц, измерение Р при 25 Гц. [35] |
Гистерезисные зависимости, полученные в эксперименте ( рис. 69), аналогичны зависимостям, наблюдаемым для сегнето-электриков; по ним определили коэрцитивное поле Ек, которое оказалось близким - 108 В / м для ориентированной ПВДФ-пленки. [36]
Согласно рассмотрению предыдущего раздела, другой важной характеристикой, определяющей диэлектрические свойства сегне-тоэлектриков, является поле отрыва доменных границ от дефектов. Данное поле является пороговым для начала амплитудной зависимости диэлектрических свойств и, в случае, когда стадия отрыва доменных границ от дефектов является ведущей в контроле за процессами переключения, может рассматриваться как коэрцитивное поле. Изменение со временем числа точек закрепления границы дефектами, описываемое выражением (9.6), приведет, очевидно, и к изменению поля отрыва доменных границ от дефектов. [37]
Формула (142.15) дает зависимость коэрцитивного поля от температуры. Знак минус соответствует точке D. Очевидно, при 70 коэрцитивное поле исчезает одновременно с остаточной поляризацией. [38]
 |
Зависимость esi от напряженности электрического синусоидального. [39] |
При увеличении ( Умакс начинают появляться петли гистерезиса. Эту напряженность электрического поля называют коэрцитивным полем S K. [40]
Запись производится следующим образом. Пленка из магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса, намагниченная до насыщения, помещается во внешнее магнитное поле Н0, направленное противоположно намагниченности пленки. Это поле по величине меньше, чем коэрцитивное поле ( Н0 С Нс), и поэтому оно не может изменить направления намагниченности. Если некоторый участок пленки нагреть с помощью луча лазера до температуры, при которой коэрцитивное поле уменьшится настолько, что внешнее поле Н0 станет больше Не, то поле Н0 вызовет перемагничение данного участка пленки. [41]
Пленка Со ( Р) при комнатной температуре равномерно намагничивается. Этот слой помещается во внешнее магнитное поле, направление которого параллельно поверхности и противоположно по отношению к коэрцитивному полю. Запись информации основана на том, что коэрцитивное поле уменьшается с повышением температуры и при Ткр по величине равно внешнему полю. Для пленки Со ( Р) достаточен нагрев до 450 К, чтобы коэрцитивное поле ( Як 4 5 - 103 А / м) было ниже внешнего магнитного поля. Поэтому в местах нагрева происходит изменение направления намагниченности. [42]
 |
Процессы записи, фиксации и стирания в барий-стронциевом ниобате. [43] |
При считывании голограммы происходит одновременное стирание и т ] спадает до нуля приблизительно за 20 с. Резкое возрастание дифракционной эффективности объясняется увеличением значений электрооптических коэффициентов в области воздействия коэрцитивного поля. При освещении кристалла считывающим лучом т ] возрастает до 52 % и остается на этом уровне в течение нескольких десятков часов. В подается на кристалл и дифракционная эффективность падает до 2 %, а затем исчезает за 20 с при освещении. [44]
 |
Зависимость намагниченности образца от магнитного поля. [45] |
Страницы: 1 2 3 4