Cтраница 3
Сцинтилляционные счетчики требуют небольших усилителей, так как значительное усиление происходит в фотоумножителях. Плато по усилению и напряжению фотоумножителя имеет наклон, который объясняется существованием заметного числа малых импульсов, даваемые сцинтиллятором. Эти импульсы возникают вследствие поликристалличности ZnS и недостаточной прозрачности его к собственному излучению. Наклон плато делает необходимым хорошую стабилизацию напряжения питания и коэффициента усиления. [31]
Присущая кристаллическим телам анизотропность на практике проявляется редко. Это объясняется тем, что многие из них представляют собой совокупность мельчайших, беспорядочно размещенных кристалликов. Это явление называется поликристалличностью, а тела, которым свойственна поликристалличность - поликристаллическими. Поликристалличность особенно характерна для металлов, в чем легко убедиться с помощью металлографического микроскопа. [32]
Близкое сходство между этими, казалось бы различными, случаями легче понять, если учесть, что несколько первых кристаллитов, возникающих в процессе первичной нуклеации в расплавленном полимере, распределены хаотически в неизмененной матрице. Следовательно, возникает, по сути дела, система разбавленных анизотропных кристаллов, напоминающая обычным образом разбавленную молекулярную систему. Если принять такое обобщение, то возникает вопрос, предопределена ли поликристалличность первичной нуклеацией в далеко отстоящих друг от друга элементах объема. Если это так, то поч ему образование асимметричных кристаллитов приводит скорее к возникновению сферолитов, а не к беспорядочному объединению кристаллитов. В особенности необходимо разрешить проблему, происходит ли образование сферолитов благодаря их повышенной устойчивости в сравнении с другими организациями кристаллитов или вследствие кинетических факторов, начинающих доминировать после первичной нуклеации. [33]
С позиций нашей гипотезы данный факт может быть интерпретирован следующим образом. Известно, что при кристаллизации из расплава размеры ( микрообъемы) растущих центров кристаллизации характеризуются спектром различающихся значений в каждый момент времени. В итоге, при изучении строения твердого закристаллизовавшегося сплава обнаруживается его поликристалличность. [34]
Плискин и Эйшенс [271], работая с платиновыми катализаторами на носителях из кремнезема и окиси алюминия, показали, что слабо связанная форма водорода удерживается поверхностью металла наряду с сильно связанной формой. Они предположили, что эти новые полосы могут соответствовать хемосорбции водорода на кристаллографически различных плоскостях вещества пленки, имеющего высокую степень поликристалличности. Если этот результат надежен, то он может служить полезным напоминанием о значении кристаллографической структуры в определении свойств поверхностей. [35]
Присущая кристаллическим телам анизотропность на практике проявляется редко. Это объясняется тем, что многие из них представляют собой совокупность мельчайших, беспорядочно размещенных кристалликов. Это явление называется поликристалличностью, а тела, которым свойственна поликристалличность - поликристаллическими. Поликристалличность особенно характерна для металлов, в чем легко убедиться с помощью металлографического микроскопа. [36]
Помимо типа и параметров решетки, существенное влияние на люминесцентные свойства оказывает степень совершенства самой структуры. Увеличение размера кристаллов до известных пределов влечет за собой увеличение люминесцентной способности и, в частности, фосфоресценции. Необходимо при этом учитывать, что рост кристаллов обусловлен обыкновенно термической обработкой. Последняя систематически уменьшает поликристалличность материала, но скорее увеличивает число дефектов решетки. Эти дефекты, представляющие собой чисто локальные нарушения структуры и состава, могут быть вызваны различными-причинами. Помимо намеренно вносимых загрязняющих примесей, нарушения обусловливаются, например, ослаблением связи или ошибочным расположением элементов самого кристалла в решетке. Независимо от природы, места нарушений оказывают существенное влияние на ход люминесценции, так как искажают нормальное периодическое поле к-ристалла и служат местами для выделения и фиксации свободных электронов. Они оказываются также непроходимым барьером для резонансных процессов, которые принимают широкое участие в транспортировке энергии по кристаллу. [37]
Поверхностный потенциал зависит от строения поверхности, и в металлическом кристалле каждой кристаллической грани соответствует свое значение х - Химический же - потенциал ц является объемным свойством и не зависит от кристаллографической структуры поверхности. Различия работы выхода могут возникать и в более мелком масштабе. Поверхностный потенциал чувствителен к геометрической форме поверхности, особенно при малых радиусах, так как его получают интегрированием силы отображения ( - е2 / а) / 2 ( х2 2ах) электрона на расстоянии х от сферической поверхности радиуса а. Учет внутренней работы выхода может объяснить [11] несколько более 80 % всей величины р; следовательно, ф зависит от гладкости поверхности в атомном масштабе. Эти изменения работы выхода, обусловленные поликристалличностью и неправильностями геометрии поверхности, ведут к неоднородным поверхностям и вызывают неоднородные поля [13] при электронной эмиссии. [38]
Высокую подвижность поверхностных носителей, которую нашли Комптон, Шнайдер и Уэддингтон [35] в антрацене, Кирнс и Калвин [80] позже использовали как средство для оценки подвижности объемных носителей во фталоцианине. Сделав геометрический анализ, авторы смогли оценить время, затраченное носителем на миграцию через пленку от тыльной стороны к лицевой. Такое расхождение Кирнс и Калвин [80] объясняют значительной поликристалличностью пленки. Было бы интересно исследовать их методом чистые кристаллы антрацена, чтобы посмотреть, согласуются ли полученные результаты с более ранними данными. [39]
Первые же измерения зависимости магнитного момента сверхпроводящих образцов от поля со всей очевидностью показали, что наблюдаемое явление не может быть объяснено бесконечной проводимостью. Величина этого момента составляет около 10 - 15 % от максимального диамагнитного момента образца в сверхпроводящем состоянии. Хотя этот замороженный момент по величине значительно меньше того, который следовало бы ожидать при наличии бесконечной проводимости, все же он слишком велик, чтобы им можно было пренебречь. В течение некоторого времени считали, что магнитная индукция сверхпроводников несколько отлична от нуля. Однако вскоре выяснилось, что замороженный момент в образцах эллипсоидальной формы может быть приписан влиянию таких вторичных факторов, как поликристалличность, наличие напряжений и примесей. [40]
Исследования кристаллической структуры пленок проводятся обычными методами: при помощи оптических и электронных микроскопов, снятием рентгенограмм и пр. Оптические методы позволяют определить степень монокристалличности, плотность дислокаций, дефектов роста в пленке, оценивать качество поверхности. Более детальное исследование возможно при помощи электронного микроскопа. Рентгеновские методы также позволяют определить степень кристаллического совершенства пленки. Наличие последних указывает на некоторуюразориентацию эпитаксиального слоя или на его поликристалличность. [41]
Они наблюдали ориентированный рост в направлениях ( 001) и ( 111), которые, как было установлено, определяются главным образом величиной несоответствия. Результаты показали, что пленки Ag растут по направлению ( 100) на каменной соли и что температуры эпитаксии как таковой, не существует, однако минимальная температура осаждения зависит от скорости роста. На рис. 4 видны три области: область сплошная немонокристаллическая, монокристаллическая и пористая немонокристаллическая. Монокристаллическая пленка образуется в области низкой скорости - низкой температуры, а также в области высокой скорости - высокой температуры или при соответствующих соотношениях между ними. Пленки, образованные в области наименьшей температуры или ниже ее, имеют четкую ориентацию ( 100), и все содержат двойную ориентацию ( 111), поликристалличность и двойники. [42]