Облученный полимер
Cтраница 4
В этой же таблице помещены известные из литературы [20, 22, 38, 39, 40] результаты изучения ( большей частью качественного) радикальных реакций в других облученных полимерах. При этом в таблицу не включен ряд результатов по рекомбинации свободных радикалов [20] и по взаимодействию радикалов с SO2 в некоторых облученных полимерах [41], которые носят качественный характер и не добавляют ничего принципиально нового к тем типам реакций свободных радикалов в облученных полимерах, которые перечислены в настоящей работе. [46]
Сопоставление интенсивности окраски образца, определенной при помощи спектрофотометра, с изменением концентрации свободных радикалов показало, что при выдерживании облученного полимера при 80 С в продолжение 900 - 3000 мин. [48]
Для объяснения механизма исчезновения свободных радикалов в облученном полиэтилене приведены доказательства, основанные на водородном обмене между газообразным D2 и облученным полимером. [49]
Таким образом, как вадно из таблицы, метод ЭПР можно успешнс использовать для измерения констант элементарных радикальных про цессов в облученных полимерах. [50]
При изучении влияния больших поглощенных доз излучения на электрическую прочность полиэтилена [131] установлены соотношения, связывающие ее изменения с изменениями прочностных свойств облученного полимера. Как известно [132], высокая скорость ( доли микросекунды) развития пробоя при критическом значении приложенного напряжения свидетельствует об инициировании данного процесса свободными электронами. [51]
Гомополимер может образовываться и на более поздних стадиях прививки при разложении низкомолекулярных перекисей ROOR, ROOH, Н2О2, которые могут содержаться в облученном полимере. Смит, Макмиллан, Манн и Сэлман [379] утверждают, что эти низкомолекулярные перекиси легко удаляются из облученного полимера до прививки путем экстракции соответствующим растворителем. [52]
Другой возможный механизм рекомбинации радикалов под действием света состоит в том, что избыточная энергия, которая локализуется на свободном радикале в - облученном полимере, приводит к образованию нового радикала, расположенного рядом. Эти два радикала рекомбинируют с образованием двойной связи. Наличие неспаренного электрона может ослаблять ближайшие связи. С этим, очевидно, связана легкость, с которой происходят реакции разложения, перегруппировки и дис-пропорционирования радикалов. Такой диссоциативный механизм гибели радикалов, возможно, играет роль в радиационной химии высокомолекулярных соединений. Это говорит о том, что происходит отрыв одного атома водорода от метиленовой группы, соседней с образовавшейся двойной связью, а затем от аллильного радикала и последующее образование сопряженных двойных связей. По-видимому, рекомбинация радикалов по такому механизму может происходить только в процессе облучения. [53]
Увеличение содержания перкислот и простых эфи-ров в продуктах окисления облученных полимеров по сравнению с содержанием в необлученных свидетельствует о том, что в облученных полимерах уязвимыми местами при окислении кроме третичных углеродных атомов и а-углеродных атомов по отношению к гранс-вини-леновой связи являются и поперечные связи. [54]
Обнаруженное увеличение радиационно-химического выхода сшивания при облучении блока позволило предположить, что наряду с процессом межмолекулярного сшивания протекает и внутримолекулярное сшивание, не влияющее на содержание гель-фракции в облученном полимере. [55]
В работах [101, 102 ,116, 119] показано влияние степени кристалличности и поглощенной дозы на электропроводность полиэтилена различной плотности, подвергнутого облучению у-квантами и электронами высоких энергий, а также рассмотрен механизм проводимости в облученном полимере. При 500 Мрад скачкообразное изменение этого показателя происходит в более узком температурном интервале. [56]
Таким образом, изучение термической деструкции облученных ПЭНП, СЭП-7 и ПЭВП позволяет сделать вывод о том, что степень разветвленности исходных необлученных полимеров оказывает значительное влияние на протекание этого процесса в облученных полимерах. [57]
Страницы: 1 2 3 4