Положение - резонансная линия
Cтраница 1
 |
Схема трансформации одно-компонентного ( а и двухкомпонент-ного ( б спектров ЯМР при наличии обмена. [1] |
Положение резонансной линии имеет большое значение, так как оно частично определяется электронной структурой вещества. Резонансная частота ядра, находящегося в магнитном поле, при отсутствии всех взаимодействий как между ядрами, так п между ядрами и электронами представляет собой свойство, присущее самому атомному ядру. Именно наличие взаимодействий с другими ядрами и электронами приводит к той частоте, которая наблюдается в опыте и вызывает изменение формы резонансной линии: вместо бесконечно узкой линии появляется характерная структура резонанса, его форма и ширина. [2]
 |
Сдвиг отдачи при испускании и поглощении у-квантов. [3] |
Число и положение резонансных линий в спектре определяется взаимодействиями атомных ядер с электрическими и магнитными полями, имеющимися в местоположении ядра. В зависимости от химического окружения ядра-поглотителя между линиями источника ( стандартного вещества) и ядра наблюдается изомерный сдвиг 5 ( рис. 3.113); для осуществления резонанса надо сообщить источнику скорость v по отношению к поглотителю. [4]
Для определения положения резонансной линии введено понятие химического сдвига этой линии относительно линии эталонного вещества. За эталонное вещество обычно берется тетраметилсилан [ ( CH3) 4Si ] ( ТМС), химический сдвиг 12 эквивалентных протонов которого принят равным нулю ( в шкале 6), поскольку резонансные сигналы большинства органических соединений расположены в более слабых полях. [5]
Для определения положения резонансной линии введено понятие химического сдвига этой линии относительно линии эталонного вещества. За эталонное вещество в настоящее время берется тетраметилсилан l ( CH3) 4SiJ ( TMC), химический сдвиг 12 эквивалентных протонов которого принят равным нулю ( в шкале б), поскольку резонансные сигналы большинства органических соединений расположены в более слабых полях. [6]
При постоянной частоте положение резонансных линий в первом приближении не зависит от диаметра образца, изменявшегося в пределах от 0 65 до 1 33 мм. С уменьшением диаметра сферы величина поглощения для всех линий, кроме линий С, уменьшается значительно быстрее, чем объем образца. При больших размерах сферы наблюдаются дополнительные резонансные линии, интенсивность которых в еще большей степени зависит от размеров образца. В диапазоне частот от 8100 до 10000 мггц, обеспечиваемом стандартной аппаратурой, относительное положение линий очень мало зависит от частоты; расстояния между ними изменяются лишь на несколько эрстед. Вблизи 34 000 мггц расстояние между линиями В и D сильно зависит от частоты, тогда как относительное расположение линий А, С и Е примерно сохраняется. [7]
При 7 26 мггц отмечено положение резонансной линии протонного резонанса воды. [8]
В предыдущем разделе мы рассмотрели взаимодействия, определяющие положение резонансных линий в спектре ЯМР. В реальном спектре не наблюдаются идеально узкие линии: резонансные линии характеризуются конечной шириной. Продольная релаксация также оказывает влияние на спектр ЯМР, в основном на интенсивность резонансных линий. [9]
Использование PdaSn весьма удобно для оценки формы и положения резонансных линий. [10]
В предыдущем разделе мы рассмотрели взаимодействия, определяющие положение резонансных линий в спектре ЯМР. В реальном спектре не наблюдаются идеально узкие линии: резонансные линии характеризуются конечной шириной. Продольная релаксация также оказывает влияние на спектр ЯМР, в основном на интенсивность резонансных линий. [11]
В предыдущем разделе мы рассмотрели взаимодействия, определяющие положение резонансных линий в спектре ЯМР. В реальном спектре не наблюдаются идеально узкие линии: резонансные линии характеризуются конечной шириной. Продольная релаксация также оказывает влияние на спектр ЯМР, в основном на интенсивность резонансных линий. [12]
Ли), и Дсо3 - небольшие сдвиги положения резонансных линий для 1-го и 2-го спинов, обусловленные спин-решеточными взаимодействиями. [13]
Таким образом, имеются две причины, искажающие форму и положение резонансной линии, - потери энергии у-кванта на отдачу R и доплеровское уширение линии D. Однако в кристалле, если энергия у-кванта будет восприниматься всей решеткой, то R мало и линия излучения ( поглощения) оказывается несмещенной. Кроме того, при малых значениях энергии отдачи пропадает и доплеровское уширение резонансной линии, поскольку переход от энергии отдачи отдельного ядра к энергии отдачи всего кристалла означает переход к таким условиям, когда доплеровская ширина линии D оказывается много меньше естественной ее ширины. [14]
Заметный сдвиг центра тяжести резонансного пика арсе-пидного стекла по отношению к положению резонансной линии кристалла в сторону более положительных значений скорости может быть обусловлен возрастанием степени кова-лентности связи для стеклообразного состояния по сравнению с кристаллическим. [15]
Страницы: 1 2 3