Положение - энергетические уровни
Cтраница 1
Положение энергетических уровней, их ширина, вероятности переходов для одного и того же иона в значительной мере определяются матрицей, в которую помещен такой ион. Типичным примером здесь является ион Сг3 в решетке АЬОз. Свойства этого материала - рубина - рассматриваются далее. [1]
Положение энергетических уровней Вм детально исследовалось методом НЕСГУ [98] в кремнии n - типа, компенсированном бором. [2]
Положения энергетических уровней известных активированных лазерных кристаллов будут рассмотрены в гл. [3]
 |
Перекрывание р-орбиталей в молекуле 1 3-бутадиена.| Графическое изображение орбиталей 1 3-бутадиена. [4] |
Положения энергетических уровней занятых и свободных молекулярных орбиталей ( они выражены в значениях обменного интеграла Р и показаны на диаграмме) коррелируются с химическим поведением молекул. [5]
 |
Диаграмма энергетических уровней двухвалентных редкоземельных ионов в кристалле CaF2. [6] |
Поэтому положение энергетических уровней редкоземельных ионов слабо зависит от типа кристалла, и для всех них является характерным наличие узких линий флюоресценции, соответствующих переходам из одного состояния оболочки 4 / в другое состояние той же оболочки. [7]
Помимо положения энергетических уровней собственных дефектов, важную роль играет температура получения кристаллофосфо-ра. [8]
Влияние ассоциации на положение энергетических уровней не ограничивается уровнями внутри запрещенной зоны. При ассоциации могут также изменяться положения уровней, расположенных за пределами запрещенной зоны. При этом пустые уровни, первоначально находящиеся в зоне проводимости или над ней, и занятые уровни, расположенные в валентной зоне или под ней, смещаются внутрь запрещенной зоны. [9]
В ароматических полисульфидах положение энергетических уровней молекулы и в основном, и в возбужденном состоянии должно определяться 2п оптическими электронами атомов серы и я-электронами бензольных колец. При расчете значения резонансного интеграла связи С-S и ку-лоновского интеграла атома серы были взяты такими же, как и для дифенил сульфида. На рисунке представлена схема энергетических уровней ряда рассчитанных полисульфидов. Наиболее длинноволновая полоса поглощения обусловлена, переходом электрона с последнего заполненного молекулярного уровня на возбужденный уровень бензольного кольца. Увеличение числа атомов серы в цепочке приводит к повышению последнего заполненного уровня и, следовательно к смещению полосы поглощения в более длинноволновую область спектра. Число возможных электронных переходов с энергией 1 - - 2 р растет с числом п, что должно приводить к наложению полос поглощения. Поэтому в области 200 - - - 400 ммк отмечается почти сплошной спектр поглощения полисульфидов с очень слабо выраженными максимумами. [10]
В ароматических полисульфидах положение энергетических уровней молекулы и в основном, и в возбужденном состоянии должно определяться 2п оптическими электронами атомов серы и т: - электронами бензольных колец. При расчете значения резонансного интеграла связи С-S и ку-лоновского интеграла атома серы были взяты такими же, как и для дифенилсульфида. Резонансный интеграл связи S-S выбирался равным 0 8jl На рисунке представлена схема энергетических уровней ряда рассчитанных полисульфидов. Наиболее длинноволновая полоса поглощения обусловлена переходом электрона с последнего заполненного молекулярного уровня на возбужденный уровень бензольного кольца. Увеличение числа атомов серы в цепочке приводит к повышению последнего заполненного уровня и, следовательно, к смещению полосы поглощения в более длинноволновую область спектра. Число возможных электронных переходов с энергией 1 - т - 2 Р растет с числом п, что должно приводить к наложению полос поглощения. Поэтому в области 200 - 400 ммк отмечается почти сплошной спектр поглощения полисульфидов с очень слабо выраженными максимумами. [11]
 |
Диаграмма полос ИК-поглощения в кремнии, обусловленных радиационными дефектами.| Зависимость полос поглощения, связанных с дивакансией, от положения. [12] |
В связи с этим положение энергетических уровней дивакансии в запрещенной зоне кремния требует детального обсуждения. [13]
 |
Влияние конфигурационного взаимодействия на вырождение возбужденных состояний, определенных методом ССП. [14] |
В правой части рисунка указано положение энергетических уровней этих четырех конфи гураций по отношению к энергетическому уровню основного состояния. [15]
Страницы: 1 2 3 4