Положение - энергетические уровни
Cтраница 4
Переходы электронов-при рекомбинации с участием рекомбина-ционных ловушек могут сопровождаться излучением. В зависимости от положения энергетических уровней рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне и от ширины запрещенной зоны излучение может лежать в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях спектра. Диоды, изготовленные на основе полупровод никовых материалов с шириной запрещенной зоны менее 1 5 зв, излучают в инфракрасной области спектра. К таким полупроводникам относятся, например, германий, кремний, сурьмянистый индий, арсенид галлия. [46]
Даже после разделения электронных и колебательных движений уравнение (1.2.1.03) для электронной волновой функции разрешимо лишь при сильных упрощениях. Наиболее точный расчет положений энергетических уровней молекул позволяет провести метод молекулярных орбиталей ( МО), в котором используется подходящий базис самосогласованных волновых функций и учитывается конфигурационное взаимодействие. В общем случае этот сложный метод требует громоздких вычислений на ЭВМ. В большинстве вариантов теории молекулярные орбитали представляются в виде линейных комбинаций атомных орбиталей; в самом элементарном виде этот метод рассматривается в разд. [47]
Сравнение теоретических значений положения энергетических уровней мономеров, димеров и тримеров по отношению к краю поглощения бесконечной цепочки позволяет определить полную ширину зоны 4101 для О1 - 0-перехода. [49]
В качестве основы люминофоров, используемых в неодимо-вых лазерах, служит либо стекло, либо алюмо-иттриевый гранат Y3AlbOi2 ( свойства алюмо-иттрневого и других гранатов обсуждались в разд. На рис. 17.10 показано положение энергетических уровней и схема энергетических переходов, реализующихся при работе неодимовых лазеров. Возбуждающее облучение люминофора проводят с помощью мощной лампы. Это позволяет возникать состоянию инверсной заселенности. На основе материалов, содержащих ионы NcP: в качестве активаторов, созданы лазеры высокой мощности. [50]
Лучистая энергия испускается и поглощается телами не непрерывно, а отдельными дискретными порциями - квантами энергии. Частота излучения связана с положением энергетических уровней молекул или атомов соотношением Бора. [51]
Принципиальным вопросом при анализе механизма образования оптического искажения является вопрос о его зависимости от длины волны облучающего света. Зависимость Аи от Я позволяет судить о положении энергетических уровней, с которых происходит переход электрона в зону проводимости. [52]
 |
Схема замещения ионом Cd2 двух ионов Na. [53] |
Ряд факторов определяет характер распределения инородных ионов. К этим факторам относится концентрация инородных ионов; положение энергетических уровней, связанных с различными нарушениями кристаллической решетки; ширина запретной зоны; склонность основной решетки к образованию нарушений в кристалле и степень равновесия между соединением и окружающей средой. Одним из путей достижения электрической нейтральности является образование вакансий. [54]
Из изложенного следует, что распределение зарядов в ионах ( одного - в одновалентных ионах и двух - в двухвалентных) не является сферически-симметричным и неперекрывающимся. Однако такое простое предположение лежит в основе элементарных подсчетов положения энергетических уровней в ионных кристаллах. [55]
Ширина спектральных линий, излучае-емых источниками света, определяется совокупностью ряда причин, из которых обычно одна является определяющей. Все линии обладают так называемой естественной шириной, обусловленной квантовомеханической неопределенностью положения энергетических уровней. [56]
По зонной теории, наличие дефектов решетки создает новые энергетические уровни в промежутке между заполненной зоной катионов и зоной проводимости. Высокая диэлектрическая постоянная твердых тел обусловливает перекрывание электронных орбит даже при относительно низких концентрациях дефектов решетки, и поэтому положение энергетических уровней зависит от концентрации. [57]
Строго говоря, как уже указывалось выше в примечаниях к другим разделам, теория корреляции молекулярных и атомных состояний ( включая объединенный атом или объединенную молекулу) способна только установить, какие типы атомных состояний коррелируют с определенными типами молекулярных состояний и наоборот. Так как эта теория основана только на теории групп и свойствах симметрии волновых функций состояний, то никаких количественных заключений о положении энергетических уровней отдельных электронных состояний ( кроме редких исключительных частных случаев) теория корреляции в ее чистом виде ( без количественных квантовомеханических расчетов в каждом отдельном случае) дать не может. Насколько ненадежны результаты тех соображений о положении уровней энергии отдельных орбиталей, которые здесь излагаются автором, видно хотя бы из того, что, соединяя энергетические уровни левой части диаграммы ( объединенный атом) и правой части диаграммы ( разделенные атомы) прямыми или слегка выпуклыми ( вогнутыми) линиями и суммируя энергии всех орбита-лей ( пренебрегая при этом ядерно-ядерными взаимодействиями), нельзя получить никаких реальных видов потенциальных кривых или поверхностей для молекул. Например, при таком способе корреляции для двухатомной молекулы всегда получим или линейные, или близкие к линейным потенциальные кривые с минимальным значением энергии либо для объединенного атома, либо для разделенных атомов вместо реальной потенциальной кривой, которая может иметь резко выраженный минимум при равновесном расстоянии ядер. Поэтому автор книги прав, делая замечания, что все рассматриваемые ниже выводы об энергии орбиталей, строго говоря, не имеют серьезного теоретического обоснования. Это относится и к излагаемым ниже результатам ряда работ по этому вопросу. [58]
Страницы: 1 2 3 4