Положение - энергетические уровни
Cтраница 3
Это состояние определяется сложным комплексом химических и адсорбционных соединений, находящихся на поверхности, которые определяют концентрацию и положение энергетических уровней примесных центров, а также общий заряд поверхности, от которого, как известно, зависят условия рекомбинации и эле-ктропроводность на поверхности полупроводника. [31]
Как известно, зависимости между строением и окраской органических соединений весьма сложны; изменение строения может различно влиять на положения энергетических уровней основного и возбужденного состояния молекул, причем это влияние не может быть оценено в достаточной мере количественно. [32]
Эти исходные предположения для атомных электронов неприменимы, так как, во-первых, нельзя пренебрегать их взаимодействием и, во-вторых, положение энергетических уровней атомных электронов зависит от населенности уровней. [33]
Однако в случае тепловых и надтепловых нейтронов длина волны настолько велика, что поверхность S можно провести вне закрытых каналов без существенного изменения положения энергетических уровней. При таких условиях разница между приведенной и первоначальной - матрицей несущественна. Однако в общем случае в математическом характере этих двух - матриц имеется заметная разница, которая будет выяснена ниже. [34]
Так как отношение W / LP от температуры практически не зависит, то приведенные выше значения энергий активации, по-видимому, можно отождествить с положениями энергетических уровней алюминия и бора в карбиде кремния. У диодов второй группы величина / изменяется с температурой незначительно. [35]
Так как отношение W / LP от температуры практически не зависит, то приведенные выше значения энергий активации, по-видимому, можно отождествить с положениями энергетических уровней алюминия и бора в карбиде кремния. У диодов второй группы величина / а изменяется с температурой незначительно. [36]
Формула ( 34) по-прежнему, конечно, относится к эмиссии с поверхности полупроводника, но плотность тока / выражена через величину U, определяющую положение энергетических уровней полупроводника относительно уровня Ферми металла при его контакте с полупроводником. Формула ( 34) вместе с входящим в нее коэффициентом А0 имеет такой же вид, как для металлов; концентрация примесей влияет только на работу выхода через величину U. [37]
К настоящему времени известно около 200 активированных диэлектрических кристаллов ( см. табл. 1.1 - 1.5 и 5.1), но только для четверти из них надежно и полно установлены положения энергетических уровней, непосредственно связанных с процессом стимулированного излучения. Такое положение дел, с одной стороны, объяснимо серьезными трудностями, с которыми приходится сталкиваться при расшифровке спектров многоцснтровых и особенно смешанных кристаллов, а с другой - с принципиальными проблемами при их интерпретации Тот основной ключ в виде теории кристаллического поля, который был найден для описания наблюдаемой структуры спектров, к сожалению, только в единичных наиболее простых случаях нашел пока удовлетворительное применение. [38]
В настоящее время одним из наиболее серьезных препятствий к проведению термодинамического анализа процесса образования дефектов в кристаллофосфорах является неполнота сведений об их свойствах, в частности отсутствие данных о положении энергетических уровней ряда дефектов. В таких случаях полезными оказываются методы приближенной оценки неизвестных величин. [39]
По мнению авторов [76, 77], изменение электронного строения молекулы при введении посторонних заместителей может быть условно подразделено на две группы, в зависимости от того, изменяется ли распределение электронной плотности или положение энергетических уровней. Влияние заместителя X по-разному сказывается на изменении распределения электронных плотностей и на смещении энергетических уровней я-электронов, которые в произвольном ряду не связаны друг с другом монотонно. [40]
По мнению авторов [76, 77], изменение электронного строения молекулы при введении посторонних заместителей может быть условно подразделено на две группы, в зависимости от того, изменяется ли распределение электронной плотности или положение энергетических уровней. Влияние заместителя Xj по-разному сказывается на изменении распределения электронных плотностей и на смещении энергетических уровней л-электронов, которые в произвольном ряду не связаны друг с другом монотонно. [41]
 |
Изменение координации поверхностных центров. [42] |
Изменение валентности требует дополнительной энергии ( большой по сравнению с эффектами кристаллического поля), которую нельзя рассчитать достаточно точно, а прочность ковалентной связи сильно зависит, в числе других причин, от положения энергетических уровней. [43]
В атоме с большим атомным номером Z все электроны, за исключением ls - электронов, удалены от ядра на довольно большое расстояние. Поэтому на положение энергетических уровней ls - электронов остальные электроны не оказывают влияния. [44]
 |
Зависимость энергии электронов и дырок от их импульсов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4