Cтраница 1
Спектральные положения коротковолновой и длинноволновой границ области чувствительности определяются значениями ширины запрещенных зон соответственно CdS и CdTe и не зависят от напряжения смещения, которое влияет на эффективность собирания носителей заряда и, следовательно, на фототок. [1]
Спектральные положения максимумов тонкой структуры не изменяются, в пределах точностей измерений, при переходе от одного галогенида к другому. [2]
Вычислите спектральные положения первых двух электронных переходов для нафталина и антрацена. [3]
Определяют спектральное положение полосы в соответствии с рекомендуемым значением центра или верхнего предела. [4]
Совпадение спектрального положения мест селективного фотоэффекта ( сплошная кривая) и мест максимального возбуждения длительного свечения CaS Bi-a - фосфора ( заштрихованные кривые), нормальный фотоэффект-пунктирная кривая. [5]
Совпадение спектрального положения мест максимального возбуждения длительного свечения СаЗ - В1 Ма-фосфоров ( d - максимумы) и спектральных участков максимального увеличения электропроводности фосфоров при освещении. [6]
Поэтому анализ спектрального положения фотоэлектронных линий позволяет определять энергию связи электронов для каждого состояния атомной системы. Образовавшаяся в результате фотоионизации вакансия во внутренней электронной оболочке атома в течение 10 - 1в с заполняется электронами с более внешних электронных оболочек, и атом возвращается в основное состояние, испуская характеристическое рентгеновское излучение или совершая безызлучательный оже-переход. Интенсивные линии оже-электронов действительно наблюдаются в спектрах фотоэлектронов и могут успешно использоваться аналогично электронным оже-спектрам для исследования явлений, протекающих на поверхности материала. [7]
Приведена таблица спектральных положений основных полос поглощения. [8]
Установлено совпадение спектрального положения полос тонкой структуры у разных галогенидов, что объясняется слабой связью примесных центров с кристаллической решеткой. [9]
Поэтому по спектральному положению и интенсивности его линий ( характеристических линий) осуществляют рентг. [10]
Рекомендуемое для расчетов спектральное положение полос представлено в таблице центрами полос vc для приблизительно симметричных полос или верхним пределом VH для полосы 4 3 мкм, которая начинается около 2410 см-1. Также даны параметры уширения п и Ъ и параметры а0, ( 0) ш0 для определения эквивалентной ширины полосы. [11]
Напомним, что сравнивая спектральное положение эффектов Коттона ( или полос кругового дихроизма) с полосами поглощения имеющихся в молекуле хромофоров, можно сделать выводы, какие именно особенности строения молекулы ответственны за создание оптической активности. [12]
![]() |
Температурная зависимость полуширины линии излучения ( а и спектрального положения максимума полосы излучения ( б Ba3 ( V04 2. [13] |
Исследование зависимости полуширины и спектрального положения полос собственной люминесценции M8 ( V04) 2 от температуры показало, что при снижении температуры от 400 до 78 К максимум полос излучения ванадатов смещается в область меньших энергий и несколько изменяется полуширина полосы излучения. [14]
Полосы поглощения пигмента представлены кривой 2, спектральное положение лазерной линии показано срелкой. Полоса 480 нм расположена вблизи и с длинноволновой стороны полосы поглощения Соре 430 нм. [15]