Cтраница 1
Электронные полосы поглощения, обусловленные d - d - nepe - ходами, формально запрещены правилами отбора, которые будут рассмотрены в гл. [1]
Электронные полосы поглощения во много раз шире колебательных полос, для многих веществ они взаимно перекрывают друг друга. Поэтому определить качественный состав сложной смеси чаще всего оказывается невозможным. Но идентифицировать индивидуальное вещество или установить его чистоту по электронным спектрам во многих случаях удается. Во-первых, УФ и видимое излучение поглощают только вещества, в молекулах которых имеются хромофорные группы. Поэтому можно сразу установить, содержатся ли такие группы в молекулах исследуемых веществ или нет. Например, ненасыщенные соединения с сопряженными кратными связями легко отличить от насыщенных соединений, так как последние не поглощают УФ и видимого света. Карбонилсодержащие соединения легко можно отличить от спиртов, простых эфиров по появлению полосы поглощения, соответствующей п - - я - переходу в карбонильной группе. [2]
Уширение электронных полос поглощения в жидких образцах обусловлено неразрешенной колебательной структурой. Эта структура появляется вследствие того, что электронные переходы сопровождаются изменениями колебательного состояния молекул; в некоторых жидких образцах и в газах колебательная структура может быть разрешена и использована для получения информации о колебательные характеристиках молекул в возбужденном состоянии. Проявление колебательной структуры в электронных спектрах можно объяснить на основе принципа Франка - Кондона. [3]
Уширение электронных полос поглощения в жидких образцах обусловлено неразрешенной колебательной структурой. [4]
Интенсивность электронных полос поглощения обычно гораздо больше, чем колебательных. Очень многие практически важные органические и неорганические соединения имеют интенсивные полосы в удобных для работы ближней и средней ультрафиолетовой и видимой областях спектра. [5]
Уширение электронных полос поглощения в жидких образц обусловлено неразрешенной колебательной структурой. Эта стру тура появляется вследствие того, что электронные переходы сопр вождаются изменениями колебательного состояния молекул; в i которых жидких образцах и в газах колебательная структура м жет быть разрешена и использована для получения информации колебательных характеристиках молекул в возбужденном состе нии. Проявление колебательной структуры в электронных cnet pax можно объяснить на основе принципа Франка - Кондона. [6]
Интенсивность электронных полос поглощения обычно гораздо больше, чем колебательных. Очень многие практически важные органические и неорганические соединения имеют интенсивные полосы в удобных для работы ближней и средней ультрафиолетовой и видимой областях спектра. [7]
Так как электронные полосы поглощения широкие, их максимумы чаще всего оказываются значительно шире спектральной ширины щели спектрофотометра. Поэтому отклонения от закона Бугера - Ламберта - Бера за счет немонохроматичности излучения оказываются значительно меньше, чем в ИК спектрах. [8]
Вращательная структура электронной полосы поглощения определяется направлением момента перехода и относительными значениями молекулярных моментов инерции. Направление момента перехода дается характером вращательной структуры, а именно, наличием или отсутствием Q-ветви в случае линейных молекул или преобладанием / - и / ( - структуры в случае симметричных и слабосимметричных волчков. Постепенное исчезновение вращательной структуры при переходе к большим длинам волн указывает на возможное увеличение одного или нескольких моментов инерции при возбуждении. И наоборот, реже наблюдаемое исчезновение структуры при переходе к меньшим длинам волн говорит об уменьшении размеров молекулы. С помощью методов, применяемых для анализа колебательно-вращательных полос [76], могут быть найдены значения одного или нескольких молекулярных моментов инерции в основном и возбужденном состояниях. [9]
Av - оольватохромный сдвиг электронной полосы поглощения ( яшинесцевцни), h и с - постоянная Планка скорость овета. [10]
Это означает, что если электронные полосы поглощения располагаются в ультрафиолетовой области спектра, то полосы поглощения ионов должны лежать в инфракрасной области. [11]
Водородная связь влияет и на интенсивность электронных полос поглощения. [12]
Таким образом, схема вычислений положения электронных полос поглощения и излучения в спектрах сложных молекул оказывается достаточно простой. Обычно при вычислениях положений таких полос в спектрах прибегают еще к одному упрощению. Это можно сделать, потому что, как правило, минимумы потенциальных поверхностей электронно-возбужденных состояний многоатомных молекул очень мало отличаются от положения минимума основной поверхности. Это, в свою очередь, связано с тем, что при электронном переходе радикально меняется состояние лишь одного электрона, что не затрагивает драматически строения всего электронного облака, которое зависит от состояния всех электронов и суммарное действие которого и определяет геометрию всей системы в целом. [13]
При значительной разнице частоты колебаний световой волны и частоты электронных полос поглощения вещества ее энергия, не поглощаясь, может перейти на короткое время в энергию деформации электронной оболочки молекулы. В большинстве случаев эта энергия отдается молекулой в виде вторичного излучения с фазой, изменяющейся одинаковым образом у разных молекул. Световая волна, образовавшаяся в результате интерференции всех вторичных, распространяется далее в прежнем направлении. Слабое рассеяние в стороны с неизмененной частотой вызывается флуктуациями плотности вещества. [14]
При значительной разнице частоты колебаний световой волны и частоты электронных полос поглощения вещества ее энергия, не поглощаясь, может перейти на короткое время в энергию деформации электронной оболочки молекулы. [15]