Полупровод
Cтраница 1
 |
Конструкция терморезисторов. [1] |
Полупровод н и к о в ы и элемент должен быть малых размеров и иметь хороший тепловой контакт с радиатором. При этом уменьшается тепловая постоянная времени. [2]
Если собственный полупровод ник легировать трехвалентной примесью, получится полупроводник дырочного типа, как показано на рис. 1.3. Трехвалентными примесями являются индий, галлий, бор и алюминий. Трехвалентный атом имеет три валентных электрона, а для формирования устойчивой ковалентной связи необходимо иметь восемь электронов в валентной зоне. Следовательно, в этом случае из-за отсутствия в примесном атоме четвертого электрона образуется вакансия. [3]
 |
Поглощение полупроводнике.| Спектральные характеристики глубины поглощения материалов фотоприемников. [4] |
Поглощение излучения характеризуют в полупровод - - никах глубиной поглощения хо или обратной величиной 11 0 показателем поглощения. [5]
Шариковые выводы используют в полупровод im пусных приборах. [6]
Выпрямительные свойства р-я-перехода используются в полупровод никовых диодах, предназначенных для выпрямления переменного тока в схе мах питания радиоаппаратуры, в схемах автоматики и электротехники. Та -, кие диоды называют силовыми. Высокоомная область диода называется базой. При обратном смещении и при не слишком больших прямых смещениях сопротивление р-п - ( перехода много больше г и поэтому последнее можно не учитывать. Оно про - является лишь при прямых смещениях КПр фо / 7 ПРИ которых потенциаль ный барьер в р - / г-переходе исчезает и основная часть приложенного напр я - - жения падает на пассивных областях диода. [7]
Введение в физическую химию и кристаллохимию полупровод никое. [8]
 |
Рависимоеть плотности германия от температуры.| Зависимость электропроводности германия от температуры. [9] |
Можно считать твердо установленным, что полупровод - никовые свойства присущи не только кристаллическому, но и аморфному состоянию. Между тем до настоящего времени не существует теории аморфных полупроводников. Квантовая теория связывает свою основу - зонную структуру энергетических уровней - исключительно с дальним порядком кристалла. [10]
Брошюра содержит справочные данные по силовым полупровод. [11]
 |
Изотермы относительного изменения.| Изменение сопротивления в магнитном поле для InSb и Bi. [12] |
Однако систематические исследования ряда металлов п некоторых полупровод аиков, произведенные П. Л. Капицей в созданных им сильных магнитных полях на - 4 пряженностью до 300000 э, обнаружили значительные эффекты, возрастающие с понижением температуры. [13]
Чтобы избежать этого, между металлом и основным полупровод - - ником создают дополнительный слой из полупроводника, имеющего сопротивление меньшее, чем у основного. Тогда согласно соотношению ( 1 - 11) количество дырок в дополнительном слое будет меньше и не будет причин для их инжек-ции в основной полупроводник. Полевые транзисторы предназначаются в основном для усиления. В генераторных транзисторах инжектирующий омический контакт не нужен, так как необходимая для генерации внутренняя обратная связь достигается за счет малой инжекции дырок. [14]
СКИЙ УСИЛИТЕЛЬ, кристаллическая то же, что полупровод - вешетка камен-никовый усилитель. [15]
Страницы: 1 2 3