Полупровод

Cтраница 3

Поэтому рассеяние носителей заряда тепловыми колебаниями ионов гораздо интенсивнее, и подвижность у этой группы полупровод - inn ников оказывается в большинстве случаев более низкой. [31]

Зависимость ТКН а дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации. [32]

В низковольтных стабилитра нах, для которых характерен туннельный пробой, ТКН отрицателен. Это определяется тем, что величина напряжения, при котором происходит туннельный переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, связана с шири ной запрещенной зоны полупровод ника. [33]

Визуализация ИК-изобрЭЖений, помимо условия на спектральную область чувствительности ПВМС, требует выполнения ряда дополнительных условий. Одним из них является защита фотополупроводняка от чрезмерного воздействия считывающего света, Данная проблема не возникает При визуализации изображений УФ-спектра, поскольку в этом случае область чувствительности используемых фото полупровод ников лежит на коротковолновом крак видимого диапазона или вообще вне его, а считывающий ( модулируемый в ПВМС) световой поток имеет длину волны в пределах видимого диапазона, не поглощается в фотополупроводнике и не вызывает изменения его проводимости. [34]

Многие схемы указанных выше измерительных устройств без существенных изменений их характеристик могут быть собраны на полупроводниковых триодах. При этом следует учитывать, что полупроводниковый триод управляется током и требует на выходе чувствительного элемента достаточную мощность. Поэтому при выборе полупровод - никовых схем в измерительных устройствах g необходимо учитывать, что они требуют зна - и чительмо большей входной мощности, чем, например, ламповая. Полупроводники отличаются также несколько большим разбросом характеристик, но они более компактны, расходуют меньше энергии и меньше выделяют тепла. [35]

Наиболее часто применяются фотоэлементы, основанные ш так называемом переднестеночном или фронтальном фото эффекте. Общая схема изготовления их заключается в следую щем. На металлическую подкладку наносят слой полупровод ника ( закись меди, селен, сульфид серебра или др.), внешняя поверхность которого обычно подвергается специальной обра ботке для создания запирающего слоя; на поверхности послед него и происходят фотоэлектрические явления. [36]

Зависимость энергии электронов и дырок от их импульсов. [37]

Переходы электронов-при рекомбинации с участием рекомбина-ционных ловушек могут сопровождаться излучением. В зависимости от положения энергетических уровней рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне и от ширины запрещенной зоны излучение может лежать в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях спектра. Диоды, изготовленные на основе полупровод никовых материалов с шириной запрещенной зоны менее 1 5 зв, излучают в инфракрасной области спектра. К таким полупроводникам относятся, например, германий, кремний, сурьмянистый индий, арсенид галлия. [38]

Для герметизации плоскостных триодов раньше применяли пластмассьи. Однако любые пластмассы не являются полностью непроницаемыми. Влага в небольшом количестве, достаточном для образования мономолскулярного слоя на поверхности полупровод пика, постепенно диффундирует через пластмассы, если прибор в течение нескольких недель или месяцев находится в атмосфере с высокой влажностью. [39]

Мягкий, серебристо-белый металл; устойчив к воздействию воздуха и воды. Растворим в кислотах и щелочах. Характеризуется самым большим температурным диапазоном существования и жидком состоянии по сравнению со всеми другими элементами, С фосфором, мышьяком или сурьмой обладает свойствами полупровод ника. Используется в светодиодах и в производстве микроволнового оборудования. [40]

Схема управления однофазным двигателем с помощью магнитного усилителя. [41]

На рис. 1.8 показана одна из схем применения бесконтактного аппарата. Однофазный двигатель М включается и отключается с помощью магнитного усилителя МУС. Этот усилитель можно рассматривать как индуктивное электрическое сопротивление, величина которого зависит от магнитного состояния ( и магнитной проницаемости) его магнитопрр-вода, изготовленного из ферромагнитного материала. Это состояние зависит от величины тока управления tyn ( постоянный ток), протекающего через обмотку управления Wyn. В этом случае двигатель работает. При iyu О достигается такое состояние, при котором сопротивление обмоток Wa МУС становится значительно больше сопротивления обмотки двигателя, ток нагрузки ia снижается почти до нуля и двигатель останавливается. Полупровод - никовые выпрямители Дг и Д2 позволяют построить магнитный усилитель с самонасыщением, в котором достигаются оптимальные характеристики без применения специальной обмотки обратной связи ( см. гл. [42]

Эти вещества в самом общем плане сближают неживую и живую природу. В чем же общее. Многие полупроводники, подобно живому организму, высокочувствительны к воздействиям внешней среды и реагируют на них изменением своих электрофизических свойств. Так, электрическая проводимость полупроводников ( неорганических и органических) резко возрастает с повышением температуры, а у металлов она уменьшается. У некоторых полупроводников электрическая проводимость изменяется в зависимости от интенсивности освещения, а у других под влиянием света появляется напряжение. Такие полупроводники применяются в качестве источников электроэнергии, из них составляют солнечные гхбатареи. Электрические характеристики полупровод - О иков изменяются в зависимости от давления, влажности, / химического состава воздуха и других параметров среды. [43]

Подробное обсуждение методов, которые могут быть использованы при изучении реакций в твердых телах, требует много места, и мы не можем здесь этого сделать. Отдельные данные в этом отношении можно найти в литературе, список которой помещен в конце статьи. Следует, однако, еще отметить, что электрическими методами ( электропроводность и эффект Холла) определяется число свободных электронов и дырок на 1 см3, но оно не обязательно равно числу, с которым могут быть связаны эти электроны и дырки. Задача очень сходна с известной проблемой в химии водных растворов, когда требуется найти концентрацию слабой кислоты по известным константам ионизации кислоты, воды и рН раствора. Эта задача легко решается при допущении электронейтральности. Если же, однако, присутствуют одновременно несколько кислот и оснований, то эта задача становится трудной, так же как и для полупроводника, в котором имеется несколько доноров и акцепторов. К счастью, о зонной структуре многих полупровод ников ( Ge и Si, в частности) и о поведении в них многих примесей имеется достаточно сведений, чтобы можно было уверенно исследовать многие взаимодействующие системы. [44]

Страницы: 1 2 3