Полупровод
Cтраница 2
Уравнения переноса показывают, что плотность тока в полупровод. [16]
 |
Типичная схема демпфирования. [17] |
Резонансный ключ представляет собой узел схемы, состоящий из полупровод ни ко во го ключа, подключенного к LC-элементам, образующим резонансную цепь, в которой происходит формирование временной диаграммы тока и напряжения силового ключа. Синусоидальный ток, формируемый резонансным LC-контуром, создает необходимые условия для выключения полупроводникового ключа при нулевом токе, благодаря чему коммутация происходит без больших выбросов напряжения и с минимальными потерями. [18]
В достаточно широком диапазоне частот многие нелинейные элементы ( электронные и полупровод; никовые, диоды и др.) являются безынерционными: их нелинейная характеристика выражает зависимость между мгновенными значениями тока и напряжения. Для удобства построения кривой тока оси времени функций u ( t) и i ( t) расположены соответственно по вертикальной и горизонтальной осям нелинейной характеристики. [19]
Существует большое разнообразие типов логических устройств, выполняющих различные фуккции; в них сочетаются полупровод яиковые диоды, транзисторы и ферромагнитные приборы. [20]
В этом параграфе рассматриваются лишь потенциальные барье ры, обусловленные разностью работ выхода металла и полупровод ника. Влияние поверхностных состояний будет рассмотрено нами в следующей главе. [21]
Эксперименты показывают, что для вырожденных образцов ( металлы) эффект ничтожен, а для невырожденных полупровод - ников имеет большое значение, и что знак эффекта может изменяться. [22]
Для выпрямителей в качестве вентилей можно использовать электровакуумные ( кенотроны), ионные ( газотроны) и полупровод - никовые диоды, обеспечивающие протекание тока только в одном направлении. [23]
Ионы легирующих материалов разгоняют электрическим полем в вакууме до определенной энергии, а затем пучок таких ионов направляют на поверхность полупровод - 1К никовой пластинки. В полупроводнике ионы проходят определенный путь, а затем тормозятся. Таким образом, в глубине полупроводника образуется 4.55. Бескорпусный легированный слой ( например, базовый), пленарный транзистор Возникающие при этом дефекты кристаллической решетки устраняют отжигом. [24]
 |
Простейшая схема усиления фототоков при помощи триода. [25] |
В последнее время в технике усиления электрических колебаний произошли значительные изменения, связанные с широким применением новых, так называемых полупровод - никовых приборов. [26]
Начало развития полупроводникового производства в нашей стране относят к 30 - м годам, однако объем выпуска приборов в этот период был невелик. Резкое увеличение выпуска полупровод - Ликовых приборов было стимулировано применением их в технике электросвязи и радиолокации. Шокли был создан: транзистор, и вскоре прр изводство. [27]
Покажите, как это сказывается на работе полупровод никовых приборов. [28]
Такие кристаллические тела представляют собой правильные решетки, в узлах которых расположены ядра. Все такие тела обычно подразделяют еще на кристаллы типа металлов, типа полупровод ников, диэлектриков и так называемые типично ионные кристаллы, которые можно приближенно рассматривать как пространственные решетки, в узлах которых расположены одноатомные ионы. [29]
 |
Пояснение хода кривых зависимости удельной проводимости полупроводников от температуры при различных концентрациях примесей. [30] |
Страницы: 1 2 3