Полупроводник - группа
Cтраница 1
Полупроводники группы AIUBV, например GaAs, имеют структуру типа алмаза, в которой содержатся атомы как III, так и V групп. [2]
Полупроводник IV группы легирован элементом III группы. Покажите, как следует изменить зонную модель, чтобы объяснить последующее поведение полупроводника. Объясните кратко влияние легирования на его проводимость. [3]
Для полупроводников IV группы периодической системы элементов к наиболее важным донорным примесям относятся элементы V группы: фосфор, мышьяк, сурьма и висмут. [4]
В полупроводниках группы PbS возможны значительные отклонения от стехиометрии, ведущие к изменению типа проводимости и концентрации носителей. Избыток атомов свинца приводит к электронной проводимости, а атомов серы, селена идя теллура - к дырочной. [5]
 |
Зонная диаграмма полу - мньшая. ч Для разрыва КОВалвНТ-проводника р-типа нои связи. В германии и кремнии для. [6] |
Если в полупроводник IV группы таблицы Менделеева ввести в качестве примеси элемент II. [7]
Для практического использования полупроводников кристал-лохимической группы алмаза очень важна возможность создания переходного слоя, так называемого р-л-перехода ( от английских positive и negative), где соприкасаются или непосредственно переходят друг в друга области проводимости разных знаков - дырочная и электронная. Физической основой большинства технических применений алмазоподобных полупроводников являются электронные процессы, происходящие в этой переходной области. Отсюда ясно значение, которое приобрели в последнее время разработка методов очистки, легирования и получения совершенных монокристаллов полупроводников с хорошо воспроизводимыми свойствами. [8]
Для практического использования полупроводников кристал-лохимической группы алмаза очень важна возможность создания переходного слоя, так называемого p - n - перехода ( от английских positive и negative), где соприкасаются или непосредственно переходят друг в друга области проводимости разных знаков - дырочная и электронная. Физической основой большинства технических применений алмазоподобных полупроводников являются электронные процессы, происходящие в этой переходной области. Отсюда ясно значение, которое приобрели в последнее время разработка методов очистки, легирования и получения совершенных монокристаллов полупроводников с хорошо воспроизводимыми свойствами. [9]
По сравнению с классическими полупроводниками IV группы - германием и кремнием - арсениды элементов III группы обладают двумя преимуществами. [10]
Так как при рассмотрении полупроводников группы алмаза мы приводили характеристики, определяющие выбор материалов для полупроводниковой электроники, то, отсылая читателей к специальной литературе, мы считаем все же необходимым упомянуть и о времени жизни носителей заряда, представляющем собой постоянную времени, характеризующую процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда. [11]
Преимущества соединений III-V перед полупроводниками IV группы менее очевидны в случае умножителя, работающего на усилитель, так как при этом требуется высокое выходное напряжение. Лучшим окажется материал, для которого величина произведения подвижности и коэффициента Холла имеет максимальное значение. [12]
Известно, что твердые растворы полупроводников IV группы конденсируются с образованием непрерывных случайных сеток, так что a - Si, Ge: H можно рассматривать как политип гицрогенизированного аморфного бинарного соединения. Во всех твердых растворах AIV - А1 концентрация свободных связей в результате гидрогенизации уменьшается. Однако происходит это в существенно меньшей степени, чем в a - Si: И. Более того, оказывается, что даже незначительные добавки в a - Si: Н углерода или германия существенно уменьшают эффективность гидрогенизации. Тем не менее считается, что, как и в кристаллических твердых растворах в аморфных сплавах можно целенаправленно управлять шириной запрещенной зоны полупроводников для их последующего использования в ряде специфических областей, таких как светоизобразительные устройства и солнечные элементы. [13]
Известно, что твердые растворы полупроводников IV группы конденсируются с образованием непрерывных случайных сеток, так что a - Si, Ge: H можно рассматривать как политип гицрогенизированного аморфного бинарного соединения. Во всех твердых растворах AIV - А1 концентрация свободных связей в результате гидрогенизации уменьшается. Более того, оказывается, что даже незначительные добавки в a - Si: Н углерода или германия существенно уменьшают эффективность гидрогенизации. Тем не менее считается, что, как и в кристаллических твердых растворах в аморфных сплавах можно целенаправленно управлять шириной запрещенной зоны полупроводников для их последующего использования в ряде специфических областей, таких как светоизобразительные устройства и солнечные элементы. [14]
Светодиоды и полупроводниковые лазеры изготавливаются из полупроводников группы AIHBV. Если ИС, связанные с этими оптическими элементами, также изготовить из полупроводников этой группы, то можно получить полностью монолитную полупроводниковую структуру. [15]
Страницы: 1 2 3 4