Полупроводник - группа
Cтраница 4
AUI В) периодической системы, поскольку по свойствам они наиболее близки к германию и кремнию - полупроводникам IV группы, которые в настоящее время исследованы гораздо лучше, чем какие-либо иные полупроводники. Свойства полупроводников этого состава уже бегло обсуждались в гл. Из всех полученных до сих пор веществ этого типа наиболее интенсивно изучается InSb главным образом потому, что-низкая температура плавления этого соединения облегчает работу с ним, а малая ширина запрещенной зоны открывает возможность использования его в качестве детектора инфракрасных лучей. В течение последних лет свой вклад в изучение данного вопроса внесли многие другие авторы, и теперь опубликовано большое количество работ, посвященных исследованию этой группы соединений. Велькер и Вайсе недавно опубликовали исчерпывающую обзорную статью [4], в которой рассмотрено большинство новейших работ в этой области. Из этого класса веществ в той или иной мере обследованы AlSb, GaSb, InSbr GaAs, InAs, GaP и InP. Все они кристаллизуются в решетке типа цинковой обманки ( см. гл. Из таблицы видно, что при перемещении вниз по периодической системе температура плавле-ния и ширина запрещенной зоны в общем уменьшаются, однако у InSb эти параметры больше, чем у серого олова, а у GaAs они больше, чем у германия. Обусловлено это главным образом наличием добавочной ионной составляющей энергии связи, которая в дополнение к валентным связям имеется у соединений типа Ain Bv ( см. гл. Рассмотрим сначала подробнее свойства InSb, поскольку это соединение, во-первых, является типичным представителем полупроводников группы AUI Bv, а во-вторых, о нем имеются наиболее полные данные. [46]
Каждый Ill-атом имеет на один валентный электрон меньше, а V-атом - на один больше, чем атомы элементов IV группы, образующие полупроводниковые кристаллы: алмаз, германий, кремний и серое олово. Таким образом, среднее число электронов, приходящихся на один атом в соединениях III-V, то же, что и в полупроводниках IV группы; установлено, что кристаллическая структура и электронные свойства этих соединений во многом сходны со структурой и свойствами полупроводников IV группы. [47]
 |
Биполярный транзистор с наклонной базой. [48] |
Кремниевые ИС на полевых МОП-транзисторах широко применяются в динамических ЗУПВ и в различных логических схемах. В отличие от них аналогичные устройства на полевых МДП ( металл - диэлектрик - полупроводник) - транзисторах, в которых используются полупроводники группы AIUBV, практически пока не существуют. [49]
В соединениях III-V такое смещение максимума, по-видимому, мало; например, в антимониде индия макс. Тем не менее линейные члены в выражении для энергии представляют интерес, так как они связаны с теми свойствами соединений III-V, которые отсутствуют у полупроводников IV группы. На эксперименте заметить смещение максимума ( валентной зоны) относительно точки k О трудно вследствие малости соответствующих энергий; однако в достаточно чистом образце при температурах ниже примерно 1 К концентрация тяжелых дырок должна возрастать по сравнению с концентрацией легких дырок, и это можно было бы установить с помощью электрических измерений. Между зоной тяжелых дырок, зоной легких дырок и зоной, отделившейся благодаря спин-орбитальному расщеплению, возможны переходы носителей заряда. Эти переходы должны приводить к появлению пиков в спектре поглощения. [50]
Спектры комбинационного рассеяния света аморфных соединений элементов III-V групп были получены в нескольких работах [5.20, 5.22, 5.23, 5.26, 5.31, 5.41, 5.67], В некоторой степени основные результаты, полученные для Si и Ое, также подходят и для соединений элементов III-V групп. Плотность колебательных состояний аморфных веществ в первом приближении, по-видимому, представляет собой уширенный вариант плотности колебательных состояний кристалла, и, так же как и в случае полупроводников IV группы, спектры комбинационного рассеяния имеют структуру, характерную для всего колебательного спектра, а не состоят всего лишь из линий, соответствующих фононам с нулевым волновым вектором, активным в комбинационном рассеянии света. [51]
Каждый Ill-атом имеет на один валентный электрон меньше, а V-атом - на один больше, чем атомы элементов IV группы, образующие полупроводниковые кристаллы: алмаз, германий, кремний и серое олово. Таким образом, среднее число электронов, приходящихся на один атом в соединениях III-V, то же, что и в полупроводниках IV группы; установлено, что кристаллическая структура и электронные свойства этих соединений во многом сходны со структурой и свойствами полупроводников IV группы. [52]
Эта книга представляет собой как бы вводную часть 11-том-ного курса лекций по микроэлектронике издательства Иванами сетен. В ней изложены основы физики полупроводников и освещены их свойства, необходимые для понимания электрических характеристик приборов; рассмотрены принципы работы различных полупроводниковых приборов; описана технология получения исходных материалов для полупроводниковых приборов и ИС, а также базовые технологические процессы их изготовления; даны типовые структуры биполярных и МОП ИС; представлены ИС на полупроводниках группы AIHBV и элементах Джозефсона. Книга содержит много конкретных примеров и необходимых пояснений. [53]
Осенью 1948 г. Франк Изаксон, глава Отделения физики в Отделе военно-морских исследований, часто посещал Лабораторию военно-морских исследований, где я был членом Отделения кристаллов. Свойства полупроводников группы III-V тогда еще были неизвестны. [54]
Страницы: 1 2 3 4