Полупроводник - группа
Cтраница 2
Если примесные атомы внедряются в междоузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы, то знак примесной проводимости определяется размерами внедряющихся атомов и их электроот-рицателыюстыо ( см. стр. Из опытных данных известно, например, что, в противоречии с указанным выше простым правилом валентности, литий ( 1 группа) играет в решетке германия роль донора, а кислород ( VI группа) - роль акцептора. Для объяснения этих фактов предполагают, что литий и кислород внедряются в междоузлия решетки германия, Внедрение большого но размерам атома лития в тесные междоузлия решетки германия оказывается возможным благодаря слабой связи его валентного электрона, сравнительно легко отрывающегося от своего атома в среде с большой диэлектрической постоянной ( см. стр. Малые размеры иона лития позволяют ему внедряться в тесные междоузлия решетки, а освободившийся электрон сообщает кристаллу германия электронную проводимость. [16]
 |
Растворимость меди в германии, кремнии и арсениде галлия в зависимости от 1 / Т. [17] |
Весьма интересно знать, проявляется ли в полупроводниках III-V групп нестехиометричность состава. [18]
И наконец, в шестой главе рассмотрены ИС на полупроводниках группы AHIBV, например ИС на полевых транзисторах с барьером Шоттки, и структуры транзисторов с высокой подвижностью электронов ( ВПЭТ) на основе полупроводников AmBv, изложены основы построения приборов на переходах Джозефсона, работающих на совершенно других физических принципах, нежели полупроводниковые приборы, и описаны ИС на этих приборах. [19]
Некоторое поглощение на колебаниях решетки наблюдается также и в полупроводниках IV группы типа алмаза, хотя в этом случае все узлы решетки электрически эквивалентны. Но это уже слабый эффект второго порядка, и его не следует смешивать с основным поглощением на колебаниях решетки. При более высоких частотах наблюдается слабое поглощение, но оно обусловлено двухфононным процессом второго порядка. [20]
По природе связей некоторые кристаллы элементов III-V групп являются аналогами атомарных полупроводников IV группы, на которые они похожи также по структуре и по свойствам. Поэтому можно ожидать, что для них типичны многие из описанных выше реакций в Ge и Si. Особенно полно с физической точки зрения исследован антимо-нид индия. Все же в полупроводниках III-V исследовано еще относительно мало химических реакций. Но ввиду того что все эти вещества в конце концов могут быть получены в виде очень чистых монокристаллов, ожидается, что этот пробел в наших знаниях будет скоро восполнен. [21]
В соединениях III-V ширина запрещенной зоны больше, чем в соответствующих полупроводниках IV группы; Велькер и Вейсс [31] выдвинули предположение, что это объясняется наличием ионной связи между III - и V-атомами. Тенденция к образованию ионов приводит к удалению электронов из пространства между атомами, так что периодический потенциал начинает изменяться сильнее, а такое увеличение амплитуды периодического потенциала вызывает увеличение ширины запрещенной зоны. [22]
Движение пятого электрона на внешней орбите примесного атома V группы в полупроводнике IV группы можно приближенно рассматривать как круговое по орбите вокруг единичного положительного заряда ядра - - е и через вещество с диэлектрической проницаемостью основного материала. [23]
Неоднократно отмечалось, что соединения III-V имеют более прочную связь, чем соответствующие полупроводники IV группы. Однако этот факт имеет значение лишь в том случае, если четко определить, что понимается под более прочной связью. Можно было бы в качестве меры силы связи интуитивно выбрать такие характеристики, как точка плавления или твердость; однако подобные критерии совершенно произвольны и высокому значению одной из таких величин не обязательно сопутствует высокое значение другой. Вероятно, наилучшей мерой силы связи является теплота атомизации, или энергия сцепления. Это энергия, необходимая для разложения твердого тела на свободные атомы. [24]
Данная работа посвящена изучению условий ориентированного нарастания одного из наиболее интересных представителей полупроводников группы А2В - теллурида кадмия. Накопленный к настоящему времени экспериментальный материал по эпитаксии CdTe в открытых системах [1-4] еще не позволяет выявить общие закономерности процесса ориентированной кристаллизации этого соединения, а потому исследования в этом направлении представляют, на наш взгляд, существенный интерес. [25]
Здесь будут кратко изложены некоторые представления о типе связи и объемных свойствах полупроводников кристаллохимической группы алмаз - цинковая обманка - вюртцит. [26]
Электрические свойства соединений III-V в ряде различных деталей отражают их отличия от полупроводников IV группы. В большинстве соединений III - V подвижность электронов значительно выше подвижности дырок, причем в InSb и InAs величина подвижности электронов может быть исключительно высокой. Ввиду этого гальвано-магнитные эффекты оказываются особенно интересными. Далее, поскольку связь в кристаллах соединений III-V имеет ионную компоненту, на перенос носителей заряда будет в некоторой степени влиять рассеяние полярными оптическими колебаниями. Так как существуют некоторые разногласия об относительной роли процессов рассеяния, ограничивающих подвижность носителей в соединениях III-V, мы начнем эту главу с обсуждения различных механизмов рассеяния. Затем мы рассмотрим поочередно для каждого соединения те сведения, которые можно получить из измерений коэффициента Холла и удельного сопротивления в зависимости от концентрации примесей и температуры. В последнем параграфе обсуждается маг-ниторезистивный эффект и зависимость коэффициента Холла от магнитного поля. [27]
Тем не менее соединения III-V обладают и характерными свойствами, отличающими их от полупроводников IV группы. [28]
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междоузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречие с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междоузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития меньших размеров может уже внедряться в тесные междоузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. Внедрение в междоузлия решетки полупроводника атомов кислорода, имеющих сравнительно небольшие размеры и большую электроотрицательность, приводит к захватам электронов из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность / 7-типа. Если атом Ge или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междоузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла. [29]
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междуузлия решеток полупроводника IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречии с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междуузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития малых размеров может уже внедряться в тесные междуузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. [30]
Страницы: 1 2 3 4