Вырожденный полупроводник

Cтраница 2

В вырожденных полупроводниках р-типа уровень Ферми может находиться в валентной зоне ниже хвоста плотности состояний. [16]

Схема рубинового лазера т валентно й зоны в ЗОНу про. [17]

Резонатор зованный вырожденными полупроводниками. [18]

Электроны в вырожденных полупроводниках ведут себя, как в металлах. [19]

Перекрытие энергетических зон в туннельном диоде при отсутствии смещения. [20]

Так как для вырожденного полупроводника упрощение функции Ферми и использование статистики Максвелла - Больцмана недопустимо, на рис. V. [21]

Характерным качественным отличием вырожденных полупроводников является слабая зависимость их характеристик от температуры. Невырожденными полупроводниками пользуются для создания выпрямительных и переключающих диодов, стабилитронов, транзисторов. [22]

Зависимость продольной термоЭДС от кристаллографической ориентации. Полярный угол ф от-считывается от кристаллографической оси х, которой соответствует термоЭДС ахп, Tl - T2 - const. [23]

В металлах и вырожденных полупроводниках [4, 5] дифференциальная термоЭДС, как правило, меньше, чем в невырожденных полупроводниках. [24]

В металлах и вырожденных полупроводниках продольный эффект Нернста-Эттингсгаузена чрезвычайно мал. [25]

В металлах и сильно вырожденных полупроводниках в электропроводности могут принимать участие только электроны, находящиеся на самых верхних уровнях распределения Ферми; энергия и скорость у этих электронов вполне определенны, и в данном случае никакого распределения по скоростям учитывать не нужно. [26]

В металлах и сильно вырожденных полупроводниках в электропроводности могут принимать участие только электроны, находящиеся на самых верхних уровнях распределения Ферми; энергия и скорость у этих электронов вполне определены, и в данном случае распределения по скоростям учитывать не нужно. [27]

Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода вырожденного полупроводника. [28]

Поэтому приборы, использующие вырожденные полупроводники, могут работать при очень низких температурах. С другой стороны, когда все примесные уровни ионизированы, концентрация примесных носителей оказывается очень высокой и мешающее действие электронов и дырок собственной проводимости сказывается только при более высокой температуре. Поэтому приборы на вырожденных полупроводниках имеют более высокий температурный предел работы, чем приборы на невырожденных полупроводниках. [29]

Температурная зависимость удельной электрической проводимости кремния, содержащего различное количество фосфора. [30]

Страницы: 1 2 3 4