Вырожденный полупроводник

Cтраница 4

Ер означает, что для вырожденного полупроводника (6.160) следует вычислять при энергии Ферми. [46]

В результате этих причин сопротивление вырожденных полупроводников незначительно меняется с температурой, а допустимый максимальный нагрев их выше. [47]

Необходимо отметить, что в вырожденных полупроводниках, например при высоких уровнях легирования, коэффициенты диффузии носителей имеют концентрационную зависимость. [48]

Следует отметить, что в вырожденных полупроводниках при высоких концентрациях резко падают подвижности носителей. [49]

Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Так, в InSb легирование донорами ( концентрация 5 1024 М 3) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7 1 до 3 5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного, легирования - изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной. [50]

В таком / 7-п-переходе на вырожденных полупроводниках может наблюдаться туннельный эффект - явление перехода электрона без изменения его энергии сквозь потенциальный барьер, высота которого превышает энергию электрона. При наличии узкого потенциального барьера с большой напряженностью поля и дозволенных энергетических уровней слева и справа от барьера как занятых электронами, так и свободных от них, вероятность туннельных переходов электронов достаточно велика. [51]

Зависимость от состава максимума Хт спектральной чувствительности фотоприемника с электронно-дырочным переходом на основе Сd Hgi - jrTe ( температура 77 К. [52]

Селенистая ртуть; ведет себя как вырожденный полупроводник. Теллуристая ртуть имеет малую ширину запрещенной зоны и по своим свойствам является полуметаллом с большой подвижностью носителей заряда и малой их эффективной массой. [53]

Современная теория не дает полного описания вырожденных полупроводников из-за сложного характера взаимодействия дефектов. [54]

Концентрация примеси, необходимая для получения вырожденных полупроводников, отличается от материала к материалу. Так, для германия и кремния концентрация легирующей примеси больше чем 1019 см 3 приводит к вырождению. Из вышесказанного следует, что существует определенная верхняя граница для п ( 0), согласующаяся с требованиями высокой эффективности эмиттера. [55]

Страницы: 1 2 3 4