Cтраница 3
На рис. 9.2 у вырожденного полупроводника ( кривая 3) концентрация свободных носителей заряда не зависит от температуры и температурная зависимость проводимости определяется зависимостью их подвижности от температуры. [31]
Nc, характерное для вырожденных полупроводников ( см. § 1 - 6) и металлов. [32]
Поясните, почему для вырожденных полупроводников невозможно использование статистики Максвелла - Больцмана. [33]
Nc, характерное для вырожденных полупроводников ( см. § 1 - 6) и металлов. [34]
Таким образом, для сильно вырожденного полупроводника ни концентрация основных носителей, ни уровень Ферми практически не зависят от температуры. [35]
Если материалы относятся к вырожденным полупроводникам, при малой толщине перехода ( - 10 8 н) возникают условия, благоприятствующие тунпели-рованию носителей сквозь потенциальный барьер р-я-перехода. В вырожденном полупроводнике р-типа уровень Ферми находится в верхней части валентной зоны, объединенной с примесной зоной акцепторов. [36]
Иное положение наблюдается в вырожденных полупроводниках, : в которых при абсолютном нуле существуют носители заряда. [37]
Кроме того, в вырожденных полупроводниках генерация электронно-дырочных пар теплом происходит слабее, чем в невырожденных, так как нижние уровни зоны проводимости вырожденного полупроводника заселены сильнее, а доля тепловых электронов по сравнению с примесными незначительна. [38]
Покажите, что в сильно вырожденном полупроводнике концентрация электронов не зависит от температуры. [39]
Для получения туннельного эффекта используют вырожденные полупроводники, отличающиеся от обычных повышенной концентрацией примесей, которая достигается усиленным введением примесей ( легированием) р - и n - областей перехода. Концентрация примесных атомов в легированном полупроводнике достигает 1019 в 1 см3 по сравнению с 1015 в 1 см3 в невырожденном полупроводнике. Из-за повышенной концентрации примесей р - п-пере-ходы имеют небольшие удельные сопротивления и малую толщину. [40]
Мы определили в § 29 вырожденный полупроводник как полупроводник, в котором уровень Ферми лежит внутри зоны энергии на расстоянии не менее 5kT от ее границы. Концентрация свободных носителей заряда при этом не зависит от температуры. Покажем теперь, что вырождение наступает в результате сильного легирования полупроводника. [41]
Мы определили в § 29 вырожденный полупроводник, в котором уровень Ферми лежит внутри зоны энергии на расстоянии не менее 5kT от ее границы. Концентрация свободных носителей заряда при этом не зависит от температуры. Покажем теперь, что вырождение наступает в результате сильного легирования полупроводника. [42]
Селенистая ртуть ведет себя как вырожденный полупроводник, а HgTe - как полуметалл. [43]
В особенности перспективны так называемые вырожденные полупроводники, обладающие относительно высокой электропроводностью. Материалом для полупроводниковых электродов могут быть тонкие пленки SnO2, TiO2, WO3, МоОд - д:, обладающие электронной проводимостью. Последняя химически достаточно устойчива и разрушается только под действием фтористоводородной кислоты и при кипячении в концентрированной щелочи. [44]
В особенности перспективны так называемые вырожденные полупроводники, обладающие относительно высокой электропроводностью. Материалом для полупроводниковых электродов могут быть тонкие пленки SnO2, TiO2, WOs -, МоОз - д:, обладающие электронной проводимостью. Последняя химически достаточно устойчива и разрушается только под действием фтористоводородной кислоты и при кипячении в концентрированной щелочи. [45]