Стеклообразный полупроводник

Cтраница 1

Стеклообразные полупроводники могут быть изготовлены как в виде объемных образцов методом охлаждения расплава, так и в виде тонких пленок, получаемых различными методами вакуумного напыления. [1]

Стеклообразные полупроводники, халькогенидные и окисные, имеют, как и обычные кремнеземистые стекла, аморфное строение. У них раковистый излом и нет точки плавления - имеется лишь температурный интервал размягчения. Естественно, что на них не распространяются закономерности кристаллического состояния вещества. [2]

Стеклообразные полупроводники отличаются ( по сравнению с кристаллическими полупроводниками) дешевизной и хорошими технологическими свойствами. Особенно существенно, чтс на их электрические свойства мало влияют примеси; это в ряде случаев позволяет огдагь предпочтение этим полупроводникам перед кристаллическими полупроводниковыми материалами. [3]

Стеклообразные полупроводники отличаются ( по сравнению с кристаллическими полупроводниками) дешевизной и хорошими технологическими свойствами. Особенно существенно, что на нх электрические свойства мало влияют примеси; это в ряде случаев позволяет отдать предпочтение этим полупроводникам перед кристаллическими полупроводниковыми материалами. [4]

Стеклообразные полупроводники и нестеклообразующие кристаллические полупроводниковые вещества, переходящие из твердого состояния в жидкое по типу полупроводник-полупроводник, когда они находятся в виде расплава, и есть, собственно, жидкие полупроводники. К веществам с переходом твердое-жидкое по типу полупроводник - металл относятся кремний, германий, соединения AUIBV и некоторые другие. У него особенно четко выражено явление послеплавления, в результате которого в расплаве вблизи температуры фазового перехода остается определенная объемная доля микрообластей, сохраняющих структуру кристалла с преимущественно ковалентным типом связи. В жидком теллуре эта доля при температуре плавления составляет 45 % ( ат. [5]

Диаграмма конфигурационных координат для электронных переходов между уровнями дефектов в халькогенидных полупроводниках.| Зависимость энергии максимума Ед и полуширины спектра люминесценции ЕВ в стеклообразных и кристаллических полупроводниках от ширины оптического зазора Е0пт. [6]

Стеклообразные полупроводники, полученные различными технологическими методами ( охлаждение из расплава, термическое вакуумное напыление, ионное распыление, не имеют каких-то дополнительных полос люминесценции, как это наблюдается у аморфного кремния. [7]

У стеклообразных полупроводников, образованных элементами IVi V, VI А групп периодической системы, связь между атомами преимущественно ковалентная. При замене компонентов в стекле их аналогами в периодической системе в соответствии с изменением характера химической связи наблюдается закономерное изменение электропроводности. [8]

У стеклообразных полупроводников не наблюдается примесной проводимости. [9]

Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [10]

В стеклообразных полупроводниках примеси не оказывают такого влияния на проводимость, как это имеет место в кристаллах. Однако экспериментально показано, что некоторые примеси способны сильно изменять электрические свойства стеклообразных полупроводников. [11]

Уникальные свойства стеклообразных полупроводников открывают новую страницу в электронике и электротехнике. Применяя их, конструкторы надеются создать сверхбыстрые переключатели тока, по сравнению с которыми современные тиристоры покажутся тихоходами. [12]

Существенным отличием стеклообразных полупроводников от кристаллических являются отсутствие у них примесной проводимости и чрезвычайно низкая подвижность носителей тока. На прямых Igo - т - У стеклообразных полупроводников не наблюдаются изломы, характерные для кристаллических полупроводников и обусловленные у последних наличием собственной и примесной проводимости. Примеси в стеклообразных полупроводниках могут оказывать влияние на их собственную проводимость. [13]

В некоторых стеклообразных полупроводниках переход в высокопроводящее состояние может быть осуществлен под действием света. Это открывает большие возможности для использования их в области печати. [14]

Пример этого - стеклообразные полупроводники, свойства которых были изучены Коломийцем [ 13, с. Эти очень распространенные материалы ( рис. 1 2) при нагреве могут кристаллизоваться и их электрические свойства тогда значительно изменяются. [15]

Страницы: 1 2 3 4