Стеклообразный полупроводник
Cтраница 3
Практически во всех случаях работы приборов на стеклообразных полупроводниках в них протекают в той или иной степени тепловые процессы, в ряде случаев являющиеся основой работы прибора, например, при фиксировании информации в материале при его переходе из стеклообразного состояния в кристаллическое, вызванном выделением в среде определенного количества тепловой энергии. [31]
Как известно, измерение удельного сопротивления некоторых типов стеклообразных полупроводников, например карбида кремния, вызывает серьезные затруднения. Так, широко распространенные двух-и четырехзондовые методы являются недостаточно удобными для карбида кремния ввиду необходимости в большинстве случаев вплавлять омические контакты. При отсутствии последних необходимо пробивать поверхностную пленку, что ведет к ненадежности результатов. Кроме того, указанные методы дают возможность измерять сопротивление только вдоль образца, а не поперек, как это требуется в большинстве практических случаев. Анизотропия же свойств гексагональной решетки a - SiC не вызывает сомнений. Имеющиеся безэлектродные методы измерения удельного сопротивления в применении к карбиду кремния весьма сложны и недостаточно надежны. Предлагаемый метод в определенной степени свободен от указанных недостатков. [32]
В этих исследованиях были определены область состава и условия образования стеклообразных полупроводников. Было также сделано предсказание о появлении других аналогичных систем. [33]
Таллий входит в состав различных полупроводниковых материалов, в частности стеклообразных полупроводников, содержащих также мышьяк, сурьму, селен и теллур. [34]
В этих исследованиях были определены область состава и условия образования стеклообразных полупроводников. Было также сделано предсказание о появлении других аналогичных систем. [35]
В этом же году Дентон, Роусон и Стенворт [4] открыли оксидные стеклообразные полупроводники. [36]
Необходимо добавить, что авторы [66] наблюдали фотоэффект не только в твердых стеклообразных полупроводниках, но и в их расплавах. [37]
В данной главе рассматриваются оксиды, сульфиды, селениды, теллу-риды, стеклообразные полупроводники, соединения А1П - Bv, Ап - BV1, составы Ge - Si и люминофоры. [38]
В табл. 45 приведены значения показателя преломления и области пропускания различных типов стеклообразных полупроводников сплавов. [40]
Иоффе, высказанные в этих работах, привели к открытию нового класса аморфных, стеклообразных полупроводников, многие из которых уже нашли техническое применение. [41]
Впервые в работе Б. Т. Коломийца с сотрудниками [58, 172, 173] было указано, что в стеклообразных полупроводниках изменения электрических свойств становятся заметными при нарушении стехиометрии на 5 - 10 ат. Влияние примесей Ag, Си, РЬ и др. становится заметным при концентрации порядка 10 ат. [42]
В табл. 11 приведены эти данные для элементов, наиболее часто входящих в стеклообразные полупроводники. [43]
Дальнейшие изменения в подходе к монопольному направлению массивного монокристалла внесло открытие советскими учеными стеклообразных полупроводников ( А. Р. Регель, Н. А. Горюнова и др., см. также А. Ф. Иоффе [1]): оказалось, что полупроводниковые свойства могут быть связаны прежде всего с ближним, а не с дальним порядком. Оговоримся, однако, что тенденции отдельных исследователей приписывать все особенности поведения полупроводников ближнему порядку нам представляются неоправданными. Так или иначе, но стеклообразные пленки представляют собой перспективное направление развития теории и техники полупроводников. Особый интерес представляют диэлектрические пленки на полупроводниках. [44]
Поэтому для понимания механизмов физических и физико-химических процессов, протекающих в приборах на стеклообразных полупроводниках, совершенно необходимо знание тепловых свойств стеклообразных материалов и прежде всего их теплоемкости и теплощювод-ности. [45]
Страницы: 1 2 3 4