Стеклообразный полупроводник

Cтраница 2

Таким образом, стеклообразные полупроводники генетически наиболее близки к полупроводникам жидким. Это означает, что стеклообразные полупроводники являются в определенном интервале температур полупроводниками жидкими. Неверно утверждение Таммана [109] о том, что любая жидкость при достаточно быстром охлаждении образует стекла. [16]

Сравнительно малое использование стеклообразных полупроводников в значительной степени обусловлено недостаточной изученностью этого класса веществ. [17]

В данной главе свойства стеклообразных полупроводников рассмотрены наиболее систематично. В каждом случае, для которого имеется соответствующая информация, дана корреляция между величиной свойств и их составом и структурой. При изучении свойств монолитных сплавов, естественно, отпадает необходимость учета дисперсности как одного из аргументов в функциональной зависимости, выражаемой формулой Курнакова-Тананаева. Исключение составляет внутренняя, или внутримонолитная, дисперсность стеклообразных сплавов, проявляющаяся в ликвацион-ных процессах. Этому вопрому посвящена гл. [18]

Зависимость коэффициента пропускания Т стеклообразного As2S3 от длины волны X при различной интенсивности нейтронного потока, нейтр / см2.| Зависимость модуля сдвига Д GIG стеклообразного As2Se3 от дозы облучения D. [19]

И все же свойства стеклообразных полупроводников изменяются под воздействием радиации. Облучение быстрыми нейтронами ( Еп - 2 МэВ) стеклообразного сплава As2S3 [717] вызывает некоторое изменение спектра пропускания ( рис. 130) и электропроводности стекла, а также влияет на спектры позитронной аннигиляции и ЭПР. [20]

На перспективность практического использования стеклообразных полупроводников наряду с кристаллическими указывают независимость их электрических свойств от влияния микропримесей, высокая химическая стойкость по отношению к большинству агрессивных сред, прозрачность в ИК-области, а также возможность широкого варьирования свойств изменением состава. [21]

Результаты исследования скорости растворения стеклообразных полупроводников в щелочных растворах свидетельствуют о четко выраженном соответствии в изменениях электропровод ности и химической стойкости стеклообразных сплавов при изменении их состава. [22]

Естественно, что синтез халькогенидных и оксидных стеклообразных полупроводников идет в принципиально различных условиях вследствие принципиального различия в их составах. [23]

Согласно данным работы [7], стеклообразные полупроводники можно классифицировать следующим образом. [24]

Для некоторых видов приборов из стеклообразных полупроводников, например оптических волноводов, акустико-оптических приборов, оптических систем для С02 - лазера, необходимы высокочистые стекла, особенно без таких примесей, как кислород, углерод и некоторые другие. [25]

Как правило, полосы люминесценции стеклообразных полупроводников довольно широки и не имеют тонкой структуры. [26]

Гамма-радиация также влияет на свойства стеклообразных полупроводников. [27]

Зависимость температуры размягчения Tg от энергии ных теллуридных систем.| Температура размягчения стеклообразных полупрсшоднтошьд с. [28]

В табл. 32 приведены температуры стеклования стеклообразных полупроводников различных подклассов. [29]

В этом разделе обсуждаются спектры комбинационного рассеяния стеклообразных полупроводников, содержащих S, Se или Те. Затем будут рассмотрены по очереди три класса материалов: элементарные халькогены, халькогениды мышьяка и халькогениды германия. [30]

Страницы: 1 2 3 4