Дырочный полупроводник

Cтраница 1

Дырочный полупроводник заряжается отрицательно, электронный - положительно. Возникает контактное поле напряженностью Ек, препятствующее дальнейшей диффузии электронов и дырок. Устанавливается подвижное равновесие, при котором суммарный ток через контакт равен нулю. [1]

Спектральные характеристики фотоэффекта в Si.| Спектральные характеристики Cs3Sb, Cs2Fe и Cs. I. [2]

Дырочные полупроводники обычно более эффективные фотоэмиттеры, чем электронные, что объясняется след. Ферми ор на поверхности полупроводника, а следовательно, и работа выхода поверхности определяются гл. Поэтому в полупроводниках - типа у поверхности образуется отрицательный пространств, заряд, тормозящий фотоэлектроны и препятствующий их выходу. [3]

Схема образования дырки в полупроводниковом материале, легированном элементом третьей группы. [4]

Дырочный полупроводник р-типа образуется при введении в чистый кристалл германия или кремния элементов третьей группы. [5]

Электропроводность дырочного полупроводника определяется дырками, которые здесь являются основными носителями заряда. Электроны в полупроводнике р-типа являются неосновными носителями заряда и их очень мало. Итак, за счет введения и активации акцепторной примеси образуется дырочный полупроводник, электропроводность которого определяется дырками, причем их количество равно количеству отрицательных ионов. [6]

Для дырочного полупроводника ( р-типа) справедливо соотношение пррр n pi, где пр и рр - концентрации электронов и дырок. [7]

Отучай дырочного полупроводника, в котором р п, нет необходимости рассматривать столь же подробно. [8]

Диаграмма энергети - [ IMAGE ] Диаграмма энергетических зон в неоднородном ды - ческих зон в неоднородном рочном полупроводнике ели - электронном полупроводнике с нейным распределением при - экспоненциальным распределе-месей. нием примесей. [9]

Для дырочного полупроводника получим картину, аналогичную рис. II.8 с наклоном прямых в обратную сторону. Так как уровень Ферми в полупроводнике одного типа электропроводности лежит по одну сторону от середины запрещенной зоны, можно сделать заключение, что при любом законе распределения примесей в полупроводнике одного типа электропроводности не удается получить разность потенциалов в вольтах между его концами, превышающую половину ширины запрещенной зоны, выраженную в электронвольтах. [10]

Для дырочного полупроводника с полностью ионизованными примесями в объеме приближенно вычислить поверхностную проводимость, если при адсорбции акцепторных молекул энергетические зоны изогнулись на 0 25 эВ; р 1013 см-3, е 12, Ю3 CM V1, температура комнатная. [11]

Случай дырочного полупроводника, в котором р J n, нет необходимости рассматривать столь же подробно. [12]

В дырочном полупроводнике ( или полупроводнике р-типа) концентрация дырок рр преобладает над концентрацией электронов пр, что достигается введением в полупроводник трехвалентных примесных атомов ( например, индия, алюминия, галлия и др.), называемых акцепторами. Дырки в этом случае называются основными носителями заряда, а электроны - неосновными. [13]

В дырочном полупроводнике, наоборот, диффундируют, от горячего конца к холодному дырки. Горячей конец заряжается отрицательно, а - - холодный - положительно. Знак разности потенциалов между горячим и холодным концами обратный. [14]

В дырочных полупроводниках ( р-типа) возникновение термо - ЭДС аналогично описанному, но разница состоит в том, что на холодном конце скапливаются положительно заряженные дырки, а на горячем - соответствующий отрицательный заряд. На рис. 10.4 6 в этом случае в стержне В знаки электрических зарядов изменяются на обратные и ЭДС термопары в соответствии с формулой (10.1) возрастает, так как абсолютные величины ал и ав будут не вычитаться, а складываться. Вещества со смешанной проводимостью в термоэлементах не используются, так как в них на холодном конце стержней одновременно концентрируются и электроны, и дырки, заряды которых компенсируют один другой. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5