Дырочный полупроводник
Cтраница 2
 |
Эффект поля в структуре металл - диэлектрик - полупроводник. [16] |
В дырочном полупроводнике положительный заряд обусловлен дырками, которые притянулись к поверхности, а в электронном - ионами доноров, от которых оттолкнулись электроны, компенсировавшие их заряд. Следовательно, в первом случае происходит обогащение, а во втором - обеднение приповерхностного слоя полупроводника. Если принять потенциал в объеме полупроводника равным нулю, то потенциал поверхности будет отличен от нуля из-за наличия зарядов между объемом и поверхностью. [17]
В дырочном полупроводнике на границе находятся сво-бодные электрО НЫ, диффундировавшие из электронного полупроводника. Под действием внешнего электрического поля, созданного приложенным напряжением, дырки поступают в пограничный слой, чем и ослабляют действие находящихся в нем свободных электронов. В электронном полупроводнике соответственно ослабляется действие дырок в пограничном слое в результате поступления в него свободных электронов. Следовательно, при такой полярности приложенного напряжения величина потенциального барьера уменьшается и в результате свободные электроны переходят из-электронного полупроводника в дырочный, а дырки из дырочного полупроводника - в электронный. Через электронно-дырочный переход протекает электрический ток. Такое включение внешнего напряжения называется пропускным. [18]
В дырочном полупроводнике, наоборот, диффундируют от горячего конца к холодному дырки. Горячий конец заряжается отрицательно, а холодный-положительно. Знак разности потенциалов между горячим и холодным концами обратный. [19]
 |
Вольт-амперная характеристика для случая, когда фотоэмиссия происходит из двух энергетических зон. [20] |
В дырочном полупроводнике примесные уровни в нормальном ( иеионпзопанном) состоянии не заполнены электронам. [21]
В дырочном полупроводнике, наоборот, диффундируют от горячего конца к холодному дырки. Горячий конец заряжается отрицательно, а холодный - положительно. Знак разности потенциалов между горячим и холодным концами обратный. [22]
В дырочном полупроводнике свет, вырывая электрон, сообщает ему энергию, достаточную для перехода в свободное состояние. Пройдя через запорный слой и металл, электрон заряжает последний своим отрицательным зарядом. [23]
В дырочном полупроводнике свет, вырывая электрон, сообщает ему энергию, достаточную для перехода в свободное состояние. Пройдя через запорный слой и металл, электрон заряжает последний своим отрицательным зарядом. В электронном же полупроводнике электрон, вырванный светом, освобождает одно из нормальных квантовых состояний, которое сейчас же занимает электрон, пришедший через запорный слой из металла. При этом металл, отдав электрон, заряжается положительно. Это новый, еще никогда не наблюдавшийся вид фотоэффекта запорного слоя. [24]
В дырочном полупроводнике, наоборот, диффундируют от горячего конца к холодному дырки. Горячий конец заряжается отрицательно, а холодный - положительно. Знак разности потенциалов между горячим и холодным концами обратный. [25]
В дырочном полупроводнике дырки будут основными, а электроны - неосновными носителями. [26]
При этом дырочный полупроводник заряжается положительно, а электронный - отрицательно, между ними создается разность потенциалов и в замыкающей их внешней цепи возникает электрический ток. Контактная разность потенциалов в р - га-переходе понижается по сравнению с ее значением в отсутствие облучения. Вентильный фотоэффект в р - га-переходе представляет - непосредственное преобразование энергии электромагнитного излучения в энергию электрического тока. [27]
 |
Внешний вид солнечной батареи. [28] |
В результате дырочный полупроводник - заряжается отрицательно, а электронный полупроводник, отдавший свободные электроны, заряжается положительно. [29]
 |
Схема термоэлемента.| Термоэлектрогенератор тгк-з. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5