Дырочный полупроводник

Cтраница 4

Наоборот, в дырочном полупроводнике контактное. [46]

Вероятность заполнения уровней электронами в примесных полупроводниках. а в электронном полупроводнике. б в дырочном полупроводнике. [47]

Проводя аналогичное рассуждение для дырочного полупроводника, придем к выводу, что в дырочном полупроводнике уровень Ферми должен быть ниже середины запрещенной зоны, причем тем ближе к валентной зоне, чем выше концентрация акцепторов. [48]

При контакте металла с дырочным полупроводником электроны из металла переходят на незаполненные уровни у верхнего края валентной зоны. [49]

Sb) также являются дырочными полупроводниками. Sb и особенно трехщелочной ( Na2K) Sb-Cs, отличающийся от первого наличием на поверхности пленки адсорбированных атомов Cs, уменьшающем. [50]

При соприкосновении металла с дырочным полупроводником на границе раздела возникает контактная разность потенциалов, обусловленная различными работами выхода электронов из этих тел. [51]

Как образуются дырки в дырочном полупроводнике. [52]

Напомним, что в дырочном полупроводнике присутствуют в равном количестве подвижные положительные дырки и неподвижные отрицательные ионы. На рис. 2.4 дырки обозначены знаком, а отрицательные ионы - -, заключенными в кружки. Концентрация примеси в электронном полупроводнике выбрана в 2 раза меньшей, чем в дырочном. Электроны обозначены знаками -, а положительные, ионы -, заключенными в кружки. Их количество в электронном полупроводнике одинаково. [53]

Потенциальный барьер на границе металл-дырочный полупроводник. а-при отсутствии приложенного извне поля, б-при прямом направлении приложенного к контакту поля, в-прп обратном направлении этого поля. [54]

Таким образом, при контакте дырочный полупроводник - металл прямым направлением тока является направление от полупроводника к металлу, тогда как для контакта электронный полупроводник-металл прямое направление тока прямо противоположное. Опыт подтверждает этот вывод. [55]

В качестве р-вет-ви термоэлемента используется дырочный полупроводник, в качестве п-ветви - полупроводник с электронной проводимостью. [56]

Нетрудно показать, что для дырочного полупроводника можно получить то же самое выражение, только концентрация п будет заменена на р, а направление напряженности поля Е7 будет противоположным. [57]

Схема устройства полевого транзистора. [58]

Он состоит из тонкого слоя дырочного полупроводника, заключенного между n - слоями. На концах дырочного слоя имеются невыпрямляющие контакты, и ток пропускается вдоль слоя. [59]

Энергетическая диаграмма контакта металл - электронный полупроводник при приложении внешнего напряжения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5