Cтраница 1
Получение дифракционной картины от двух круглых апертур, расположенных на расстоянии D друг от друга, во многом аналогично двум щелям. [1]
![]() |
Два типа молибденовых держателей кристалла. [2] |
После получения дифракционной картины коллектор можно направить на любое дифракционное пятно, чтобы измерить распределение интенсивности, что занимает минуты, а не часы, как прежде. Для нахождения распределения интенсивности на пушку подается переменное напряжение и по мере изменения напряжения коллектор движется вперед и назад в области изучаемого пятна. На экране осциллографа появляется серия кривых зависимости силы тока коллектора от напряжения. Огибающая этих кривых и является кривой распределения интенсивности. На практике, чтобы избежать перекрывания отражений разных порядков в дифракционной картине, амплитуду переменного напряжения ограничивают соответствующим образом и среднее напряжение изменяют в желаемых пределах. [3]
![]() |
Дифракционная картина от монокристалла.| Дифракционная картина от поликристалла. [4] |
Для получения дифракционной картины существенно, чтобы длина волны используемого излучения была сравнима с этим средним межатомным расстоянием. [5]
Для получения дифракционной картины только от того микроучастка, который заинтересовал исследователя при просмотре изображения, на ось микроскопа выводят селекторную диафрагму и устанавливают так, чтобы на изображении был виден только этот микроучасток, затем убирают апертурную диафрагму и с помощью промежуточной линзы фокусируют дифракционную картину. [6]
Для получения четкой дифракционной картины требуется геометрически правильное чередование тончайших полосок, пропускающих свет ( или отражающих), и полосок, поглощающих свет или, по крайней мере, рассеивающих его Таким путем изготовляются отражательные дифракционные решетки. [7]
Почему для получения дифракционной картины от монокристалла используют рентгеновское излучение со сплошным спектром или вращают ( качают) кристалл, если излучение моно-хроматично. [8]
Описать схему получения дифракционной картины по методу вращения, пользуясь обратной решеткой и сферой отражения, чрезвычайно просто. При вращении кристалла поворачивается и его обратная решетка. В тот момент, когда какой-либо узел последней пересекает сферу отражения, от центра сферы через точку пересечения D проходит отраженный луч, падающий затем на цилиндрическую пленку в некоторой точке N. После каждого поворота кристалла на 360 это событие повторяется. [9]
Метод используют для получения дифракционной картины от поликристаллических веществ в виде порошка или массивного образца с плоской поверхностью - шлифа. [10]
Дифрактометрия основана на получении дифракционной картины кристаллов, по которой определяют качественные и количественные структурные параметры. [11]
Существует три основных метода получения дифракционной картины от кристалла: полихроматический метод ( метод Лауэ), метод порошка ( метод Дебая - Ulepepa) и метод вращения монокристалла. Разновидности метода вращения, включающие перемещение кассеты с рентгеновской пленкой, называются рентгеногониометри-ческими. [12]
В этом методе используется вторая принципиальная возможность получения дифракционной картины. Кристалл укрепляется неподвижно, углы между сериями атомных плоскостей и падающим пучком остаются неизменными на протяжении съемки. Дифракция осуществляется за счет того, что в спектре первичного пучка имеется непрерывный набор длин волн. [13]
Расчет преобразования Фурье от группы атомов аналогичен получению дифракционной картины, возникающей от системы отверстий, однако получение таких картин не заменяет всех преобразований Фурье полностью. Для того чтобы подчеркнуть разницу между преобразованием Фурье и получением дифракционной картины оптическим методом, последний называют оптическим преобразованием. [14]
![]() |
Ход лучей при кродифракции. [15] |