Получение - конденсатор
Cтраница 4
Рассмотренные керамические конденсаторы имеют малую величину емкости при относительно больших габаритах. Дальнейшее увеличение емкости без увеличения габаритов может быть осуществлено за счет уменьшения толщины диэлектрика, так как электрическая прочность керамики составляет не менее 6 кв / мм. Для получения конденсаторов на низкие рабочие напряжения достаточно иметь толщину диэлектрика порядка десятков микрон. [46]
Разработаны технология получения базовых и коллекторных областей транзисторов методом селективной эпитаксии. Исследованы процессы формирования базы р-п - р - транзистора диффузионным методом и путем ионного легирования, технологический процесс изготовления совмещенных п-р-п-к р-п - р - транзисторен продольной и вертикальной геометрии. Описаны технология получения конденсаторов и резисторов транзисторно-резисторных матриц диффузионным методом, а также технология напыления пленок тонкопленочных конденсаторов и резисторов. Приведены методы и электрические схемы измерения электрических параметров изготовленных совмещенных трянзис-торно-резисторных матриц. [47]
 |
Зависимость удельной емкости / ьи-перехода от типа перехода. [48] |
Роль нижнего электрода выполняет низкоомная диффузионная область 7, которую получают одновременно с эмиттером. Поверх этой области выращен слой двуокиси кремния 5, являющийся диэлектриком конденсатора. Двуокись кремния является хорошим диэлектриком для получения конденсаторов и для изоляции поверхности кристалла. Она образует равномерное сплошное прочное покрытие на поверхности кремния. Толщина слоя может строго регламентироваться ходом технологического процесса. [49]
Печатные конденсаторы образуются двумя металла ческими обкладками, разделенными слоем диэлектрика. Обкладки представляют собой металлические пленки, нанесенные на противоположные поверхности платы. Так как диэлектриком конденсатора служит изолирующий материал печатной платы, то для получения конденсаторов достаточно большой емкости материал платы должен обладать высокой диэлектрической проницаемостью. При увеличении площади обкладок и уменьшении толщины диэлектрика емкость конденсатора увеличивается. [50]
Кроме того, при проектировании таких конденсаторов необходимо совместно вычислять удельную емкость и пробивное напряжение, так как каждая из этих величин зависит от удельного сопротивления материала, причем с ростом последнего емкость уменьшается, а пробивное напряжение повышается. Это обстоятельство, идеальное с точки зрения требований, предъявляемых к конструкции транзистора, является неблагоприятным при проектировании интегрального конденсатора, так как для него обычно необходимо обеспечить высокие значения пробивного напряжения и удельной барьерной емкости. Требуемая величина пробивного напряжения определяет тип перехода ( коллектор - подложка, база - коллектор, эмиттер - база) который может быть использован для получения конденсатора, а выбранный тип перехода в свою очередь определяет необходимую площадь подложки для получения заданной номинальной емкости. [51]
Кроме того, при проектировании таких конденсаторов требуется совместно вычислять удельную емкость и пробивное напряжение, так как каждая из этих величин зависит от удельного сопротивления материала, причем с ростом последнего емкость уменьшается, а пробивное напряжение повышается. Это обстоятельство, идеальное с точки зрения требований, предъявляемых к конструкции транзистора, является неблагоприятным при проектировании интегрального конденсатора, так как для него обычно нужно обеспечивать высокие значения пробивного напряжения и удельной барьерной емкости. Требуемое значение пробивного напряжения определяет тип перехода ( коллектор - подложка, база - коллектор, эмиттер - база), который может быть использован для получения конденсатора, а выбранный тип перехода в свою очередь определяет необходимую площадь подложки для получения заданного номинального значения емкости. [52]
Страницы: 1 2 3 4