Получение - кремний
Cтраница 4
Тетраиодид кремния SiI4 - промежуточный продукт получения чистейшего кремния иодидным способом - может быть синтезирован из элементов. Бесцветные кристаллы тетраиодида плавятся при 120 5 С. Он хорошо растворяется в сероуглероде. При нагревании пары тетраиодида легко воспламеняются, сгорая на воздухе красным пламенем. [46]
В настоящее время большое внимание уделяется получению кремния высокой степени чистоты. Это связано с использованием полупроводниковых свойств кремния, которые очень сильно зависят от наличия малейших химических примесей. [47]
 |
Схема устройства для осаждения пленок А12ОВ с использованием сжиженного слоя.| Частицы карбида кремния, покрытые пленкой AlaOa в установке для оса. двде-ння с использованием ст1ЯенЯ ( го сятга. [48] |
Этот тип реакции широко применяется при получении кремния и германия. [49]
Эта реакция лежит в основе силанового метода получения чистейшего кремния. [50]
Подобную плазменную технологию можно представить применительно к получению кремния из фторидного и гидридного сырья ( SiF4, S1H4); к регенерации магния и кальция из фторидных шлаков ( MgF2, CaF2), накопленных на металлургических заводах по производству урана; к восстановлению циркония из тетраиодида циркония ( ZrLi), полученного при иодидной технологии рафинирования циркония; а также и в других приложениях, когда требуется восстановить металл из летучего галогенида и регенерировать галоген, затраченный на его производство. [51]
Страницы: 1 2 3 4