Получение - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Получение полупроводниковых материалов, пьезоэлектри-ков. [1]
Получение полупроводниковых материалов и сверхчистых веществ также невозможно без применения вакуумной металлургии. [2]
Для получения полупроводниковых материалов с определенным типом проводимости и с заданным удельным сопротивлением к исходному материалу добавляют строго определенное количество донорной или акцепторной примеси. [3]
Для получения полупроводниковых материалов с определенными и контролируемыми свойствами исходные компоненты подвергают различным методам очистки. Наиболее эффективные методы очистки осуществляют при фазовых превращениях исходных веществ из одного агрегатного состояния в другое. [4]
Для получения полупроводниковых материалов высокой чистоты были испытаны все известные средства очистки органических веществ. Однако ее применение ограничено присутствием веществ, которые не разлагаются при температуре плавления. Выбор метода очистки зависит от свойств используемого вещества. Во всех случаях требуемая чистота материалов достигается с большими трудностями. [5]
Технология получения полупроводниковых материалов, разработанная в настоящее время, не позволяет избежать преобладающей рекомбинации на рекомбинационных центрах при А. Таким образом, в материалах, технология получения которых недостаточно совершенная или в которые специально добавлены примеси с глубокими уровнями, рекомбинация через примесные центры будет преобладать над межзонной рекомбинацией даже в случае, когда A. [6]
Применяется для получения полупроводниковых материалов; как добавка к свинцу при литье дроби и в типографских сплавах, не содержащих олова. [7]
 |
Схема опыта Рейсса по электроосмосу.| Схема движения твердых частиц при электрофорезе. ( и жидкости при электроосмосе. ( 6. [8] |
Очень перспективно получение полупроводниковых материалов путем зле-ктрофоретического осаждения тонких пленок на твердую основу. [9]
В настоящее время получение чистых полупроводниковых материалов представляет очень сложный производственный процесс, обусловливающий сравнительно высокую стоимость изделий из них. [10]
Запатентован [230] способ получения полупроводникового материала на подложках, изготовленных из германия, кремния или графита. [11]
Перспективно применение Г.с. для получения полупроводниковых материалов, напр, галлия арсенида. [12]
Бор высокой степени чистоты требуется для получения полупроводниковых материалов, а также для ядерной энергетики. Чистый элементарный бор получают восстановлением очищенного1 треххлористого бора молекулярным водородом. Наиболее эффективным методом глубокой очистки треххлористого бора является ректификация. [13]
Таким образом, разработка технологических схем получения полупроводниковых материалов, содержащих селен и теллур, всегда должна сопровождаться контролем степени чистоты исходных металлов с применением различных методов определения микропримесей элементов в них. [14]
Галлий и индий используют в основном для получения полупроводниковых материалов, таллий - для производства подшипников и сплавов, устойчивых к воздействию кислот. [15]
Страницы: 1 2 3 4