Получение - полупроводниковый материал
Cтраница 2
Галлий, индий и таллий используют для получения полупроводниковых материалов. [16]
Четыреххлористый кремний и треххлористый фосфор используются для получения важных полупроводниковых материалов, а также в производстве волоконных световодов, свойства которых в значительной степени зависят от чистоты исходных хлоридов. Содержание примесей металлов в производимых в настоящее время хлоридах кремния и фосфора невелико, в то время как концентрация органических веществ и примесей, содержащих хлоридообразующий элемент, находится на достаточно высоком уровне. Поэтому разработка методики определения этих примесей является актуальной задачей. [17]
Несмотря на это, сохраняется необходимость в получении полупроводниковых материалов, содержащих минимальную заданную концентрацию неконтролируемых примесей. [18]
 |
Схема установки для. [19] |
На рис. 1 представлена схема кристаллизационной печи для получения полупроводниковых материалов. В процессе вытягивания монокристалла тигель 2 и затравка 5 вращаются с определенными угловыми скоростями, причем затравка совершает вертикальное поступательное движение. При этом к нагревателю 3 подводится электрический ток определенной силы, в результате чего поверхность нагревателя приобретает достаточно высокую температуру. [20]
В случае значительных отклонений в значениях подвижностей для получения полупроводникового материала с требуемым удельным электрическим сопротивлением по уравнению (4.25) проводят корректировку значений пир. [21]
Гидриды Се, 81, Аз используют для получения полупроводниковых материалов. [22]
В основном диффузионные процессы изучаются с точки зрения получения качественных полупроводниковых материалов, сталей и сплавов. [23]
Водород применяют как газообразный диэлектрик, как восстановитель при получении полупроводниковых материалов и тугоплавких металлов повышенной чистоты. Фтор и хлор применяют для синтеза полимеров фторопластов, винипластов, широко используемых в качестве диэлектриков. [24]
Подобные исследования примесного поглощения особенно актуальны в связи с проблемой получения сверхчистых полупроводниковых материалов. Обратим внимание на тот факт, что предельная чувствительность в обнаружении малых концентраций примеси может быть достигнута только при применении спектрометра с шириной аппаратной функции не больше ширины линии примесного поглощения. [25]
Следует указать также группу параметров, знание которых необходимо технологам для получения полупроводниковых материалов с заданными свойствами и структур различных полупроводниковых приборов. К этой группе относятся: температуры плавления и фазовых переходов, теплота различных фазовых переходов, коэффициенты диффузии и распределения примесей, давление паров вещества или его компонентов при фиксированной температуре и многие другие важные параметры. Однако поскольку в основном параметры этой группы имеют физико-химический характер, то далее методы их измерения не рассматриваются. [26]
Все возрастающий интерес к полимерным материалам с полупроводниковыми свойствами обусловлен возможностью получения полупроводниковых материалов с такой совокупностью электрических, фотоэлектрических, оптических и физико-химических свойств, которые не встречаются у неорганических полупроводников. [27]
Области их применения продолжают расширяться; появились новые процессы, такие как получение монокристаллических полупроводниковых материалов, наращивание эпитаксиальных пленок, радиочастотная сварка труб и оболочек кабелей связи, вспенивание материалов в электрическом поле, применение высокочастотной плазмы для технологических целей и др., а также новые источники энергии - ионные и тиристорные преобразователи. Прогрессивными технологическими решениями на современной технической основе заменяются старые приемы получения и обработки материалов. [28]
 |
Классификационная схема параметров, характеризующих полупроводниковые материалы. [29] |
Наконец, имеется и третья группа величин, знание которых необходимо для правильной разработки технологии получения полупроводниковых материалов. [30]
Страницы: 1 2 3 4