Получение - полупроводниковый материал
Cтраница 3
Физико-химическое изучение систем типа AH1BV - AnBVI представляет несомненный интерес, поскольку позволяет определить оптимальные условия для получения полупроводниковых материалов заданного состава и выяснить характер взаимодействия между отдельными компонентами системы. [31]
Таким образом, накопленный к настоящему времени экспериментальный материал по особенностям проводимости полисопряженных систем указывает на возможность получения полупроводниковых материалов с разнообразными электрофизическими свойствами путем надлежащего подбора их химической макромолекулярной и пачечно-кристаллической структур. Однако получаемые до сих пор полимерные полупроводниковые материалы представляют собой либо неплавкие и нерастворимые порошки, либо непрочные волокна и ткани. Неудовлетворительные механические свойства являются одной из причин, затрудняющих не только применение, в частности использование их в качестве элементов радиотехнических устройств, но также и исследование этих материалов. [32]
Предложенный метод в дальнейшем будет применен для получения других привитых комбинаций подложка - полимер, а также для получения пленочных полупроводниковых материалов. [33]
Успехи в развитии таких отраслей науки и техники, как электроника и радиоэлектроника, химия и металлургия, получение сверхчистых и полупроводниковых материалов и многих других, были бы невозможны без прогресса вакуумной техники, одной из основных задач которой является создание вакуумных откачных средств, не вносящих органических загрязнений в откачиваемые объемы. [34]
Обессоливание применяется в тех производствах, где к воде предъявляются особо жесткие требования по чистоте, например, при получении полупроводниковых материалов, химически чистых реактивов, фармацевтических препаратов. Обессоливание воды достигается методом ионного обмена, дистилляцией и электродиализом. [35]
Успехи, достигнутые в результате применения полупроводников в радиотехнике, автоматике и других областях техники, стали возможными только благодаря получению особо чистых полупроводниковых материалов. Следует отметить, что требуемая в этом случае высокая степень очистки полупроводников от примесей достигается в специальных электротермических установках. [36]
Явление разделения компонентов систем с электронной или дырочной проводимостью при пропускании постоянного тока; используется для глубокой очистки металлов и для получения полупроводниковых материалов. [37]
Монография предназначена для химиков-неоргаников, научных работников, преподавателей и студентов химических вузов, а также для инженеров и техников, занимающихся получением полупроводниковых материалов. [38]
В то же время стремительно росла потребность в конструкционных графитах, в частности для твердосплавной промышленности, производства кварцевого стекла, для техники получения полупроводниковых материалов в различных отраслях машиностроения. Таким образом, была выработана стратегия перевода МЭЗа с производства угольной продукции на изготовление конструкционных материалов на основе графита. Тем более что рядом, через дорогу, располагался НИИграфит. [39]
Хлорид алюминия является одним из исходных компонентов при синтезе гидрида алюминия, его используют в качестве модификатора в производстве пигментного диоксида титана, при получении полупроводниковых материалов, в ядерной энергетике. Растворы хлорида алюминия, частично нейтрализованные ДО образования основных хлоридов типа А п ( ОН) 3п - хС х, применяют в качестве коагулянта при очистке питьевой воды, как закрепитель керамических форм для литья по выплавляемым моделям, в текстильной, бумажной и мыловаренной промышленности. [40]
 |
Схема дислокационного захвата примеси. [41] |
Особо следует остановиться на роли химических микропри-месей в полупроводниках, так как это позволяет правильно оценить степень глубокой очистки многих химических соединений, используемых для получения полупроводниковых материалов и прежде всего кремния и германия. [42]
Легирующие примеси, среди которых наибольшее применение нашли фосфин, арсин, оксид мышьяка, диборан, хлороксид фосфора и трибромид бора, используют при получении полупроводниковых материалов. [43]
В отличие от других процессов, в которых в качестве побочных продуктов выделяются хлористый водород и хлор, вызывающие коррозию, в предлагаемом процессе выделяется только водород, что очень важно при получении полупроводниковых материалов. [44]
В настоящее время покрытия, получаемые термическим разложением МОС в паровой фазе, используются в производстве резисторов, фотошаблонов, в изготовлении конденсаторов, МДП-структур и др. Большие возможности открывает метод термического разложения МОС в получении полупроводниковых материалов, в частности эпитаксиально выращенных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. [45]
Страницы: 1 2 3 4