Получение - тонкая пленка
Cтраница 1
Получение тонких пленок испарением металлических и неметаллических материалов в высоком вакууме является перспективным методом, особенно важным для современной технологии интегральных пленочных микросхем. Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки - проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные - почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса, без чего повторяемость требуемых результатов и рентабельность производства мало реальны. [1]
Получение тонких пленок с достаточной механической прочностью, стабильностью и малым температурным коэффициентом зависит от наносимого материала, материала подложки, технологии изготовления сопротивлений и качества вакуумных установок. [2]
Получение тонких пленок методом прессования используется для получения ИК-спектров волокнистых ионообменных материалов. Пленки получаются непосредственным прессованием мелко измельченных и просеянных через сито волокон. Образуются механически прочные образцы с плоскими блестящими поверхностями. Морфологическая структура ионитов не нарушается до давления 0 5 - 0 8 ГПа. Недостатки данного метода заключаются в трудности получения образцов малой толщины ( около 1 мкм) и большом светорассеянии. [3]
Получение тонких пленок путем совместной полимеризации двух или нескольких веществ, по-видимому, является весьма перспективным, так как этим способом можно в определенных, пределах изменять их диэлектрические свойства. [4]
Для получения тонких пленок применяют высокие скорости вращения и фоторезисты с достаточно низкой вязкостью. После капе сения фоторезиста производится сушка горячим воздухом или инфракрасным облучением. С время выдержки составляет 154 - 20 мин. [5]
Для получения тонких пленок a - Si: Н некоторые исследователи [68] применяют метод ионного осаждения. Легирование этих пленок галлием ( в процессе совместного осаждения) позволяет значительно изменять их удельное электрическое сопротивление. [6]
Для получения тонких пленок необходимо иметь специализированное оборудование. Два первых метода требуют более сложного, а следовательно, и более дорогостоящего оборудования, чем третий метод. [7]
 |
Химическая устойчивость некоторых кристаллов при 20 С. [8] |
Для получения прозрачных тонких пленок на изделиях из стекла или других оптических материалов могут быть использованы разнообразные Кремнийорганические соединения. [9]
При получении тонких пленок из МОС, имеющих высокое давление паров уже при комнатной температуре, эти пары обычно вводят в вакуумную камеру через игольчатый натекатель с точно регулируемым ходом. [10]
 |
Изменения диэлектрической проницаемости. [11] |
При получении тонких пленок их необходимо подвергать закалке, так как иначе они получаются хрупкими. [12]
 |
Зависимость давления насыщенного пара р от температуры Т для оксидов второй. [13] |
При получении тонких пленок оксида бериллия методом термического испарения в вакууме наилучшим способом нагрева является бомбардировка электронным лучом. [14]
 |
Переход в сверхпроводящее состояние сплава Nb-Sn-Gd, содержащего 2 8 ат. % Gd. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5