Получение - тонкая пленка
Cтраница 3
Открытие технологических путей получения тонких пленок a - Si дало толчок развитию новой, крайне необходимой технологии в области энергетики - технологии создания дешевых солнечных элементов. [31]
Описанный выше метод получения прозрачных тонких пленок имеет весьма существенное значение и во многих других случаях. [32]
 |
Вакуумное напыление тонких металлических пленок. [33] |
Существуют различные методы получения тонких пленок металла. Одним из таких методов является вакуумное напыление тонких покрытий, толщина которых колеблется от 0 01 до 0 5 мкм при нанесении благородных металлов ( золото, серебро, платина) и до 75 мкм при нанесении покрытий из цинка, кадмия, меди. [34]
Наиболее распространенными методами получения тонких пленок различных материалов в вакууме являются методы термического испарения и ионного распыления. [35]
При использовании мономеров для получения тонких пленок и покрытий наряду с указанными факторами необходимо устранить резкое замедление или полное ингибирование полимеризации кислородом воздуха и учитывать также значительное влияние природы подложки на процесс полимеризации и свойства образующихся пленок, что обусловлено большими величинами отношения поверхности реакционной системы к ее объему в тонких пленках. Материал подложки может оказывать различное влияние на процесс полимеризации. Железо может умеренно ингибировать скорость радикально-цепного распада, а в некоторых случаях увеличивать интенсивность радикально-цепного распада инициаторов типа гидроксидов и таким образом даже интенсифицировать процесс полимеризации. [36]
Помимо легирующих примесей для получения тонких пленок монокристаллов этих соединений, в частности, методом химического осаждения паров металлоорганических соединений, необходимы специальные реактивы и химические вещества. [37]
Какие существуют основные методы получения тонких пленок при применении пленочных микросхем. [38]
Подлежат безусловной отработке методы получения монокристаллических тонких пленок различными вариантами жидкостной и молекулярно-лучевон эпитаксии, катодного распыления в контролируемой атмосфере, направленного испарения, например электронно-лучевого, и др. Большую актуальность приобретает изучение ускоряющего и ориентирующего воздействия постоянных электрических и магнитных полей при выращивании кристаллов и пленок с дипольным или ( и) спиновым упорядочением структуры. Особого внимания требует отработка технологии получения многослойных структур ( включая многослойные пленки Ленгмю-ра - Блоджетт [97], которая позволит в перспективе рассчитывать на создание оптоэлектронных СБИС и микропроцессоров, потенциально обладающих большим быстродействием ( до 10 2 - 1013 циклов / с) и более помехоустойчивых, чем монопольно используемые в настоящее время их полупроводниковые аналоги-предшественники. [39]
Тем не менее идея получения однородных тонких пленок для конденсаторостроения путем полимеризации мономера в тлеющем разряде продолжает привлекать внимание как изобретателей, так и научных исследователей. В 1963 г. была опубликована работа Брадлева и Хаммса, в которой описаны результаты исследования проводимости тонких органических пленок, полученных полимеризацией в газовом разряде на металлизированных подложках из кварцевого стекла; вторым электродом служил тонкий слой металла ( алюминия), нанесенный испарением в вакууме уже после образования пленки. Камера откачивалась до 10 - 5 ioppY после чего через игольчатый клапан в нее вводились пары органических веществ, давление которых поддерживалось на уровне 0 5 - 1 торр. Напряжение, создающее разряд, в зависимости от давления в камере и типа исследуемого вещества составляло от 275 - 305 до 450 - 455 в; частота 10 - 50 кгц, плотность тока 1 - 3 ма / см2; размер подложки 1X25x75 мм; толщина исследуемых пленок выбрана равной 1 - 2 мкм; при меньших толщинах пленки имели много слабых мест, а при больших - часто отслаивались от подложки. [40]
Для испарения сурьмы при получении тонких пленок применяют проволочные испарители или лодочки из тантала или нихрома. [41]
 |
Свойства конденсатов GaSb. [42] |
Метод катодного распыления веществ для получения тонких пленок обладает одним существенным преимуществом перед испарением в вакууме. [43]
Испарение материалов широко используется для получения тонких пленок, применяемых в самых различных областях техники. Преимущества электронно-лучевого испарения перед другими методами испарения состоят в следующем. Во-первых, при обычном тигельном нагреве испаряемого вещества температура поверхности и объема одинакова. При электронно-лучевом нагреве высокую температуру имеет только поверхность. Такой метод позволяет получать материалы высокой чистоты, так как почти полностью исключается реакция испаряемого вещества с материалом тигля. При электронно-лучевом испарении возможен и бестигельный процесс. Во-вторых, имеется возможность управлять электронным пучком во времени и в пространстве, что позволяет регулировать поток энергии и скорость испарения. [44]
 |
Экспериментальная установка. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5