Получение - тонкая пленка
Cтраница 2
Электроннолучевая технология получения тонких пленок Nb3Ga обеспечивает создание материалов, близких по сверхпроводящим свойствам к массивным образцам. При этом на сверхпроводящие параметры, как и в случае тройного соединения Nb - Al - Ge, большое влияние оказывает низкотемпературный отжиг. Весьма важно, что полученные напылением пленки Nb3Ga обладают при комнатных температурах высокой стабильностью параметров. [16]
Запатентован способ получения тонких пленок полифталоцианинов металлов на подложке [64], который состоит в том, что нагретые пары нитрила пиромеллитовой кислоты пропускают над поверхностью металла или инертной подложки, покрытой тонким слоем металла. [17]
Химический метод получения тонких пленок состоит в нанесении спиртового раствора ортокремниевой или ортотитановой кислоты на стеклянную подложку с последующим подогреванием пленки до температуры порядка 300 - 400 С. Для этого капля раствора пипеткой наносится на деталь, вращающуюся со скоростью 600 - 3500 об / мин. Под влиянием центробежной силы капля равномерно растекается по поверхности подложки. [18]
 |
Стадии образования прилипшей пленки при нанесении на субстрат частиц. [19] |
Подобный метод получения тонких пленок используют для создания твердых смазочных материалов. Образовавшийся прилипший слой порошка, находясь между трущимися частями, еще в большей степени уплотняется и превращается в монолит. Такие смазочные слои противодействуют высокой температуре, вакууму, избыточному давлению и агрессивной среде и находят широкое применение в промышленности. [20]
Вторым этапом получения тонких пленок является конденсация - процесс перехода из газообразной фазы в твердую. При столкновении с подложкой осаждаемые атомы или молекулы могут либо в результате упругого соударения отразиться, либо, передав часть энергии атомам подложки, адсорбироваться на ее поверхности. [21]
 |
Блок трехэлектродного ионного распыления. [22] |
Другим методом получения тонких пленок является ионное распыление ( см. гл. [23]
Основными способами получения тонких пленок являются термическое испарение в вакууме, катодное распыление и химическое осаждение. Толстые пленки наносятся на подложку методом шелко-графии. [24]
Поэтому процесс получения тонкой пленки SiCh требует особой тщательности. Общее число технологических операций, необходимых для изготовления МДП-ИМС, значительно меньше, чем число операций, выполняемых при изготовлении ИМС на биполярных транзисторах. Так, в первом случае необходимо провести 4 процесса диффузии и 6 - 8 процессов фотолитографии, а во втором случае 1 процесс диффузии и 4 процесса фотолитографии. Поэтому в целом МДП-ИМС оказываются дешевле, чем ИМС на биполярных транзисторах. [25]
Примером является ТО получения тонких пленок методом термовакуумного испарения. При испарении уменьшается масса материала на испарителе, что ведет к увеличению сопротивления испарителя, а следовательно, к снижению тока. Чтобы не изменялась скорость испарения, в процессе операции производится регулировка тока так, чтобы его значение оставалось неизменным. Эта операция описывается системой дифференциальных уравнений с коэффициентами, зависящими от времени и от других технологических и физических параметров процесса испарения. [26]
 |
Схема внутрикамерного устройства многопозиционной на-пылительной установки. [27] |
Рассмотрим основные методы получения тонких пленок. [28]
Существует несколько способов получения тонких пленок. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5