Получение - рельеф
Cтраница 1
Получение оптимального рабочего рельефа во всех случаях связано с исходным технологическим рельефом. [1]
Для получения рельефов разрабатывается и целый ряд других светочувствительных соединений на основе использования светочувствительных линейных полимеров. Могут применяться также различные гетеро - и карбоциклические соединения. [2]
Для получения рельефа требуются значительно большие усилия. [3]
Для получения четкого рельефа на детали требуется иметь большое удельное давление, которое в зависимости от рода материала и характера операции составляет 120 - 300 кГ / мм ( 1200 - ЗОООУИя / ж2) [22; 45; 49], что вызывает интенсивный износ штампов. Достижимая точность чеканки по высоте детали составляет 0 05 мм. [4]
Для получения более глубокого рельефа я полного использования глубины фокуса РЭМ время травления микрошлифов следует увеличить. [5]
Для получения более резкого рельефа на шлиф иногда осаждают медь, хром или другие вещества в вакуумной камере, что усиливает контрастность изображения. В этом случае поверхность шлифа устанавливают под небольшим углом к направлению движения осаждающихся частиц соответствующих веществ. Осаждение происходит главным образом на выступающие участки шлифа, и поэтому резкость рельефа возрастает. [6]
Приборов для получения рельефа по аэроснимкам сконструировано и построено довольно много. [7]
Иногда для получения более резкого рельефа на шлиф осаждают медь, хром или другие вещества в вакуумной камере; для усиления контрастности изображения поверхность шлифа устанавливают под небольшим углом к направлению движения осаждающихся частиц соответствующих веществ. В этом случае осаждение происходит главным образом на выступающие участки шлифа и поэтому резкость рельефа возрастает. [8]
Маска удовлетворительна для получения рельефов на Si3N4, полисилоксане, фос-форно-кремниевых стеклах и алюминии. В ПМ, пропускающей коротковолновое УФ-излучение, можно вместо SiO2 использовать алюминий [22], что, однако, исключает ИХТ. [9]
 |
Жировая и окисная пленка на поверхности неподготовленного под покрытие металлического основания. 1 - металлическое основание. 2 - окисная пленка. 3 - жировая пленка. [10] |
Эта подготовка сводится к получению заданного рельефа ( микрогеометрии) поверхности и к обнажению структуры основания удалением жировой и окисной пленок. Применяемые при радиоэлектронном производстве методы изменения микрорельефа поверхности в большинстве случаев требуют удаления жировой пленки, что иногда не исключает необходимости вторичного обезжиривания непосредственно перед нанесением покрытия, если имеется опасность загрязнения после подготовки микрорельефа. Особое значение имеет подготовка поверхности активной подложки интегральных микросхем из полупроводникового материала. [11]
Нерастворимые диазосоединения можно использовать для получения рельефов на омыляемых гидрофобных подложках, причем роль их сводится к защите поверхности подложки от омыления на местах, сохранивших при экспозиции неразложив - - шееся диазосоединение. [12]
Нерастворимые диазосоединения можно использовать для получения рельефов на омыляемых гидрофобных подложках, причем роль их сводится к защите поверхности подложки от омыления на местах, сохранивших при экспозиции неразложившееся диазосоединение. [13]
С целью снижения трудоемкости заготовительных операций получение рельефов зачастую совмещается с процессом штамповки самих заготовок. [14]
 |
Схема контактного и бесконтактного экспонирования. [15] |
Страницы: 1 2 3