Получение - рельеф
Cтраница 2
Экспонирование является самым существенным этапом при получении рельефов из пленок резиста - в них в результате этой операции создаются скрытые изображения. [16]
При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. [17]
Описано применение n - хинондиазидов в смеси с иминохинон-диазидами для получения прочных негативных рельефов [69], По-видимому, перспективна возможность получения при помощи n - хинондиазидов печатных форм на основе задубленных полимеров. [18]
Процесс чеканки хотя и сопровождается небольшим перемещением металла, но для получения четкого рельефа требует большого давления. [19]
 |
Схема штампов для объемной формовки. а - открытой. б - закрытой. [20] |
Размеры полосы по толщине и ширине следует подбирать ( практическим путем) с таким расчетом, чтобы при получении полного рельефа детали боковые наплывы излишков металла на полосе были минимальными, так как обычно потери металла в отход составляет 80 - 100 % от веса готовой детали. [21]
Ко второй группе - контролируемое удаление материала для получения пластины или кристалла необходимой толщины без механически нарушенного слоя; получение требуемого рельефа поверхности ( химическое профилирование); разделение слитков на пластины и кристаллы. [22]
Химическое и электрохимическое травление полупроводниковых пластин производят с целью удаления нарушенного поверхностного слоя, очистки поверхности от загрязнения ( химически связанных с полупроводниковым материалом), доведения толщины пластины до заданных размеров, получения заданного рельефа на поверхности пластины и структурных исследований свойств полупроводников. [23]
 |
Способ фотолитографии. [24] |
При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия-наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений. [25]
 |
Способ фотолитографии. [26] |
При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия - наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений. [27]
При толщине деталей 1 2 мм допуск на диаметр штампованного рельефа Составляет 0 1 мм и высоту 0 05 мм; при толщине 1 2 мм соответственно 0 15 и 0 12 мм. Получение рельефов рационально совмещать со штамповкой деталей, подлежащих сварке. [28]
 |
Подготовка деталей к рельефной сварке. [29] |
Для соединений группы Б размеры рельефа уменьшают. Получение рельефов рационально совмещать со штамповкой деталей из листа. [30]
Страницы: 1 2 3