Упругие поля

Cтраница 1

Упругие поля также могут быть уменьшены за счет полного или частичного нарушения сплошности ( когерентности) межфазной границы, что также имеет место при прямых переходах. Однако это далеко не всегда так, поскольку для подобных переходов должна иметь место слабая температурная зависимость и большая ( порядка скорости звука) скорость превращения, что для перехода графит - алмаз при статическом нагружении не выполняется. [1]

Статические упругие поля, подобно кулоновскому полю, очень медленно убывают с расстоянием. [2]

Комплексное представление упругих полей в соединении с различными интегральными представлениями аналитических функций представляет удобный аппарат для сведения плоской задачи к интегральным уравнениям. В настоящее время известно несколько вариантов построения таких уравнений. [3]

За счет упругих полей дислокации взаимодействуют. При этом дислокации, лежащие в разных плоскостях скольжения, могут упорядоченно располагаться в кристалле, выстраиваясь таким образом, что область сжатия кристалла у одной дислокации приходится на область растяжения у другой. Ряды дислокаций образуют субграницы, разбивающие кристалл на взаимно разориентированные блоки. Точечные дефекты и примесные атомы обычно скапливаются в упругих полях дислокаций. [4]

Вводятся два вспомогательных упругих поля, связанных с распределением напряжений а - - ( q), u ( q), создаваемым силами, сосредоточенными в той точке у тела, где желательно получить оценку смещений в исходной задаче. [5]

Если нас интересуют неоднородные упругие поля, изменяющиеся на расстояниях, значительно превосходящих среднее расстояние между точечными дефектами, то естественно пользоваться усредненными модулями. [6]

По классификации особенностей упругих полей в изотропной среде дефект, описываемый плотностью сил (15.1), называется центром дилатации. [7]

Эти коэффициенты полностью характеризуют упругие поля в окрестности вершины трещины, поскольку в остальной области распределение напряжений и деформаций определено из решения задачи в целом. [8]

Выше показано, что зависимость упругих полей от времени устанавливается принципом Гамильтона, изменение диффузных полей от времени - уравнением баланса энтропии. [9]

Схема распределения дислокаций в деформированном изгибом кристалле. [10]

При отжиге дислокации под влиянием дальнодейст-вующих упругих полей перегруппировываются. [11]

ДОу - изменение свободной энергии в отсутствие упругих полей, Д0деф - энергия упругого поля на единицу объема и единицу поверхности в первой и второй формулах соответственно. При таком подходе используется полевое описание фазового превращения [25], когда предполагается, что одна фаза из другой может быть получена путем непрерывного изменения набора параметров ( в данном случае параметров, описывающих упругое взаимодействие при заданном пространственном распределении фаз. В термодинамике необратимых процессов рассматриваются случаи, когда внутреннее состояние замкнутой системы может быть задано последовательностью внутренних переменных. Ниже будет показано, что при температурах не очень высоких ( 1000К) и в отсутствие растворителей, окислителей и др. графит и алмаз разделены таким высоким потенциальным барьером ( Д0деф), что они могут и должны считаться устойчивыми фазами. Другое дело, что для алмаза можно подобрать растворитель или окислитель ( как и для каждого вещества), чтобы стимулировать его превращение в другие фазы, но это не имеет непосредственного отношения к расчету равновесия фаз графит - алмаз. [12]

В дефектном кристалле в S0 могут давать вклад упругие поля других дефектов, плотность которых может меняться от кристалла к кристаллу. Действительно, если разброс экспериментальных значений М обычно не превышает погрешность эксперимента, то для 50 этот разброс в некоторых случаях существенно превышает ожидаемую погрешность эксперимента. [13]

Конечно, в практических задачах часто требуется уметь рассчитывать упругие поля и напряжения для дефектов всех уровней. Обычно для этого определяют упругие геометрические поля по заданным плотностям дефектов. [14]

Обрыв периодичности кристаллической решетки на поверхности твердого тела вызывает искажения упругих полей дислокаций. Искажения проявляются в виде сил притяжения между свободной поверхностью твердого тела и дислокацией, имеющей компоненту, параллельную поверхности. В теории указанное взаимодействие получило название сил изображения, так как их величина равна силе, действующей между данной дислокацией и ее зеркальным отображением в плоскости поверхности. [15]

Страницы: 1 2 3 4