Упругие поля

Cтраница 3

Твердорастворное упрочнение ( стлэ), связанное, как известно [187, 218, 219], в основном с размерным несоответствием атомов легирующего элемента и матрицы и с различием их упругих постоянных, сводится к взаимодействию упругих полей дислокаций с упругими полями вокруг атомов легирующих элементов. Сила, действующая на растворенный атом со стороны упругого поля дислокации, при высоких температурах вызывает его дрейф в направлении приложенной силы. [31]

Проведенные в таком приближении расчеты ДО и оценка величины порогового давления, при котором начинается образование алмаза ( значение коэффициента К изменяется от 0 62 до 0 65), показывают, что при учете упругих полей нет заметного расхождения между расчетными и экспериментальными данными по прямому превращению графита в алмаз. [32]

Величина запасенной энергии деформации различна на разных стадиях деформации [36]: на заключительной III стадии доля запасенной энергии составляет всего лишь около 5 % от всей затраченной энергии деформации ( остальные 95 % рассеиваются в виде тепла, и это свидетельствует об аннигиляции упругих полей дислокаций), тогда как на стадии деформационного упрочнения эта доля значительно больше. В литературе приводятся разные значения: например, в случае крупнозернистой меди доля запасенной энергии достигает примерно 10 %, для более мелкозернистых материалов она имеет гораздо более высокие значения. [33]

Как мы уже убедились в главах 4 и 5 при изучении вопросов взаимодействия доменных границ с дефектами и при изучении вопросов устойчивости профиля или ориентации доменных стенок, отклонение последней от полярной оси в сегнетоэлектриках или от направления спонтанного сдвига в сегнетоэластиках приводит к увеличению энергии системы за счет возникновения дальнодействую-щих электрических или упругих полей. Это равнозначно тому, что на таким образом отклоненные доменные стенки действует возвращающая сила, которая в приближении малых смещений стенки линейна относительно величины U смещения последней и, следовательно, может считаться квазиупругой. [34]

Таким образом, роль упругих напряжений при мартенситных превращениях черзвычайно велика: внешние напряжения могут смешать точку равновесия фаз; внутренние напряжения, сопровождающие рост включений мартенсита, обусловливают их размеры и форму, влияют на кинетику превращения, Поэтому теоретическое описание мартенситных превращений, ставящее перед собой задачу объяснить пространственное распределение фаз, их форму и взаимное расположение, должно последовательным образом учитывать воздействие внешних и внутренних упругих полей. [35]

Особенностью упрочнения при образовании растворов внедрения является высокая подвижность между-узлий при сравнительно низких температурах, в частности при комнатной. Взаимодействие упругих полей, связанных с междуузельными атомами, дислокациями, другими дефектами строения кристалла, приводит к направленной миграции междуучлий, образованию атмосфер Коттрелла, захвату примесей дефектами строения. Перечисленные процессы способствуют торможению дислокаций и упрочнению материала. При еще более высоких концентрациях легирующей примеси следует ожидать дополнительного упрочнения, связанного с появлением фазовых выделений, препятствующих движению дислокаций. Напряжение, необходимое для прохождения дислокации через среду, содержащую включения твердой фазы, обратно пропорционально расстоянию между включениями. При заданной концентрации выделений более эффективное упрочнение обеспечивают мелкодисперсные выделения, характерные для ионной имплантации, когда образование новых фаз связано с местами локальной неуравновешенности концентрации легирующей примеси и лимитируется подвижностью легирующих компонент при температуре ионной обработки и последующей эксплуатации. [36]

Ясно, что различия в статистических и динамических методах нагрузки при твердотельных фазовых переходах сводятся к различиям в относительных скоростях образования зародышей и релаксации упругих напряжений, а также к различиям в механизмах сохранения, движения и распада межфазных границ. Хотя сделать детальный расчет упругих полей в настоящее время невозможно, однако можно рассмотреть этот механизм в следующем порядке. [37]

Кинетическая причина обусловлена изменением подвижности групп дислокаций по сравнению с отдельным дефектом. Отчасти это также связано с интерференцией упругих полей, но теперь уже в сторону их усиления. Коллективы дислокаций как бы концентрируют напряжения для разрушения препятствий их движению. Для этого процесса также требуется некоторая начальная критическая плотность дислокаций рс, например, для того чтобы перед случайно расположенными препятствиями накопилось достаточное количество дислокаций. [38]

Распространение волн в средах с периодически изменяющимися параметрами сопровождается изменениями фазы и амплитуды волны с частотой изменения параметров. В частности, подобная модуляция наблюдается под действием переменных упругих полей, причем ее степень определяется нелинейными свойствами среды и величиной внутренних напряжений. [39]

Геометрическая интерпретация неравенств,. [40]

Действительно, с - произвольное упругое состояние. Если в качестве с выбрать состояние, для которого упругие поля отличны от нуля лишь в окрестности некоторой точки упругого тела, то ( ( а, с)) будет интегрально характеризовать решение в выделенной окрестности рассматриваемой точки. [41]

Из сравнения следует, что расчеты по формуле Левина дают значения а, лежащие внутри диапазона, полученного на основе модели куб в кубе. В этом случае отсутствует влияние соседних частиц на распределение упругих полей вокруг вьщеленной частицы. Если взять среднее арифметическое верхней и нижней границы О. Проведенные сравнения показали, что аналогичная картина наблюдается и для упругих модулей. [42]

Распределение энергии атомов вблизи некогерентной двойниковой границы. [43]

Если мы по аналогии с когерентной двойниковой границей рассмотрим изменение энергии атомов по мере удаления от некогерентной двойниковой границы ( рис. 2.13), т.е. границы, содержащей двойниковую дислокацию, то увидим, что убывание происходит гораздо медленнее. Дополнительный вклад в энергию некогерентной двойниковой границы по сравнению с когерентной дают упругие поля двойникующих дислокаций. [44]

В процессе взаимодействия с дефектами возможны изменения профиля доменной стенки сегнетоэлектрика или сегнетоэластика, в том числе и такие, при которых в области прогнутой доменной стенки возникают связанные электрические заряды или двойникующие дислокации. Возникновение этих зарядов ( двойникующих дислокаций) приведет к появлению дальнодействующих электрических или упругих полей, для расчета которых уравнение движения ( или равновесия) доменной стенки необходимо дополнить уравнениями электродинамики или теории упругости. [45]

Страницы: 1 2 3 4