Кристаллические поля

Cтраница 1

Центральный ион - конфигурации в октаэдрическом окружении ( показаны только d - и d - орбитали и расщепление его энергетических уровней. [1]

Кристаллические поля с симметрией, более низкой, чем кубическая, приводят к дальнейшему снятию вырождения энергетических уровней. [2]

Внутренние кристаллические поля, действующие на магнитный ион со стороны соседних атомов, могут оказывать сильное влияние на магнитные свойства вещества. Вызывая расщепление энергетических уровней магнитного иона, они могут приводить к полному или частичному замораживанию орбитальных магнитных моментов, в результате чего магнитные свойства кристалла будут обусловлены в основном спиновыми моментами. Анализ влияния кристаллического окружения на энергетические уровни ионов переходных элементов проводится обычно в рамках так называемой теории внутрикристаллического электрического поля, в предположении в основном о ионном характере связи. Электрическое поле приводит к штар-ковскому расщеплению энергетических уровней основного состояния, причем число компонент, на которое происходит расщепление, зависит только от симметрии окружения. В связи с этим задача о штарковском расщеплении уровней во внутрикристалличе-ском электрическом поле с заданной симметрией может быть решена с помощью теоретико-групповых методов. Для определения величины расщепления необходимо знать уже величину внутри-кристаллического поля. Эта задача при известной величине поля решается обычно методами теории возмущений. При таких расчетах требуются сведения об относительной величине энергии взаимодействия магнитных электронов с внутрикристаллическим полем по сравнению с другими взаимодействиями внутри свободного иона. Для свободного иона основными видами взаимодействия являются кулоновское и спин-орбитальное. [3]

Для очень сильных кристаллических полей заполнение / - уровня электронами должно приближаться к двум, но при этом происходит увеличение межэлектронного отталкивания. [4]

В случае кристаллических полей более низкой симметрии все три значения g - факторов ( при данном направлении поля Я) - gx, gy и gz - различны. Таким образом, g - фактор является тензором второго ранга, характеризующим симметрию кристаллического поля окружения парамагнитного центра. [5]

В отличие от кристаллических полей октаэдрической и тетра-эдрической симметрии в полях додекаэдрической симметрии основное состояние является орбитально невырожденным и все орбитали, соответствующие возбужденным состояниям, обладают энергией, значительно большей, чем орбиталь основного состояния. Поэтому ЭПР легко наблюдается при комнатной температуре. Их величины указывают также, что связь является в значительной степени ковалентной. Считают, что комплексы Mo ( CN) и W ( CN) g - также имеют додекаэдрическую симметрию. [6]

В общем случае влияние кристаллических полей может привести, как это было показано в главе III, к появлению тонкой структуры и зависимости положения линии от ориентации электрической оси кристалла в постоянном магнитном поле. [7]

Поскольку октаэдрическое, квадратно-плоскостное и тетраэдриче-ское кристаллические поля вызывают различные расщепления пяти d - орбиталей, значительное влияние на d - - переходы оказывает геометрия комплексов ионов металлов. Спектральные данные для этих переходов должны давать информацию о структуре комплексов. В этом разделе мы прежде всего обсудим вопрос о том, как структура влияет на энергии различных состояний иона металла, и затем используем эти данные для определения структур различных комплексов. [8]

В ионах с четным числом электронов кристаллические поля часто будут расщеплять самый нижний У-муль-типлет на ряд синглетов и некрамерсовские дублеты. В таких дублетах наблюдали электронный спиновый резонанс [9], но форма линий оказалась не лоренцевской, что свидетельствует о малом ( возможно, случайном) расщеплении дублета при отсутствии внешнего поля за счет компонент кристаллического поля более низкой симметрии. [9]

Энергетическая диаграмма расположения уровней для одного Srf-электрона, демонстрирующая влияние кристаллических полей ( КП) различной симметрии. Занятые электронами уровни отмечены кружком в состоянии ( г) и стрелками в ( д), чтобы обозначить поляризацию спинов. [10]

Крамере [145] вывел весьма общую и полезную теорему о действии кристаллических полей на атомные электроны. Теорема Крамерса утверждает, что если в атоме имеется нечетное число неспаренных электронов, то электрическое поле не может полностью снять вырождение уровня и минимальное вырождение является двухкратным. Таким образом, в этом случае не возникает вопроса о степени асимметрии КП, так как основное состояние по крайней мере дважды вырождено и сигнал ЭПР может в принципе наблюдаться при наложении магнитного поля. Для четного числа неспаренных электронов вырождение основного состояния может быть полностью снято, так что добавочного расщепления за счет внешнего магнитного поля не будет и спектр ЭПР не наблюдается. Следовательно, для ионов группы железа с нечетным числом d - электронов ЭПР при подходящих условиях опыта может наблюдаться всегда. [11]

Крамере [145] вывел весьма общую и полезную теорему о действии кристаллических полей на атомные электроны. Теорема Крамерса утверждает, что если в атоме имеется нечетное число неспаренных электронов, то электрическое поле не может полностью снять вырождение уровня и минимальное вырождение является двухкратным. Таким образом, в этом случае не возникает вопроса о степени асимметрии КП, так как основное состояние по крайней мере дважды вырождено и сигнал ЭПР может в принципе наблюдаться при наложении магнитного поля. Для четного числа неспаренных электронов вырождение основного состояния может быть полностью снято, так что добавочного расщепления за счет внешнего магнитного поля не будет и спектр ЭПР не наблюдается. Следовательно, для ионов группы железа с нечетным числом cf - электронов ЭПР при подходящих условиях опыта может наблюдаться всегда. [12]

Диаграмма энергетических металла, степени его окисления, уровней, иллюстрирующая расще - размера иона, расстояния d - орби-пление d - орбиталей. талей от ядра атома. Величина. [13]

В зависимости от величин А и ЭСКП разграничивают сильное, среднее и слабое кристаллические поля. Как правило, лиганды, создающие сильное поле, образуют низкоспиновые комплексы. Величина расщепления кристаллическим полем зависит от заряда, размера и стереохимии лиганда. [14]

Диаграмма энергетических металла, степени его окисления, уровней, иллюстрирующая расще - размера иона, расстояния rf - орби-пление rf - орбиталей. талей от ядра атома. Величина. [15]

Страницы: 1 2 3 4