Кристаллические поля

Cтраница 3

В результате анализа экспериментального материала Шпольский пришел к выводу, что структура мультипле-тов связана с неодинаковым пространственным внедрением молекул растворенного вещества в кристаллическую матрицу растворителя. Следствием этого являются различия кристаллических полей в месте закрепления молекул. Под влиянием неоднородных электрических возмущений по-разному деформируются электронные оболочки растворенных молекул, что приводит к дискретным изменениям их электронной энергии и хорошо разрешаемой структуре мультиплетов. [31]

Металлы, для которых может достигаться большая энергия стабилизации кристаллическим полем, реагируют предпочтительно с лигандами, создающими большие значения Dq. Так как аммиак и амины создают большие кристаллические поля, чем вода и другие кислородсодержащие лиганды, можно ожидать, что переходные металлы будут предпочтительно образовывать комплексы с азотом, а не с кислородом. С другой стороны, непереходные металлы, редкоземельные элементы, Fe ( III) и Мп ( П) имеют большую тенденцию к образованию связей с кислородом, чем с азотом. Это хорошо согласуется с экспериментальным материалом. На устойчивость комплексов могут влиять и другие факторы. Так, Cu ( I), Ag ( I), Au ( I), Cd ( II), Zn ( II) и Hg ( II) предпочтительно взаимодействуют с азотом, а не с кислородом, хотя стабилизация кристаллическим полем здесь отсутствует. [32]

То, что основной уровень в металлах хорошо описывается приближением Jz J, возможно указывает на доминирующую роль обменного взаимодействия по отношению к внутрикристаллическим полям. Помимо этого, из-за преимущественно аксиального характера кристаллических полей ( главным членом кристаллического потенциала является VI, имеющий отрицательный знак) примеси состояний с различными Jz в основное состояние иона оказываются незначительными. [33]

Эти аргументы приводят к двум колебаниям V18 ( ezg) или VB ( & щ) ( см. [23], стр. Она должна быть полосой О-О, которая вследствие влияния кристаллических полей уже не является строго запрещенной. [34]

Проведена корреляция изомерного химического сдвига спектров ЯГР халькогенидов олова с ионностью связи в них. Предполагается, что в случае халькогенидов двухвалентного олова необходимо учитывать поляризующее влияние кристаллических полей на 55-электронное облако олова, что приводит к уменьшению изомерного сдвига, хотя степень sp - гибридизации при этом и не изменяется. [35]

Это относится также к линиям свободных радикалов, которые образуются в твердом теле при облучении ультрафиолетовым светом, рентгеном или гамма-лучами; то же можно сказать и о свободных радикалах, образовавшихся в электрическом разряде и затем сконденсировавшихся в твердую фазу. В обоих случаях следует ожидать, что свободные радикалы будут находиться под воздействием случайно ориентированных кристаллических полей. Все три компоненты тензора g могут быть легко получены путем анализа производной линии поглощения, которую обычно записывают ЭПР-спектрометры ( фиг. В этом случае компоненты тензора g определяются весьма точно. [36]

Соотношение между Нт и НеХсь дается выражением Нт [ 2 ( gj - 1) 1 gj ] Hexch - Из уравнения (8.64) следует, что в этом случае ионы ведут себя как свободные ионы во внешнем поле Нт. Как видно из дальнейшего, модель свободного иона дает удовлетворительное приближение для многих магнитно-упорядоченных редкоземельных металлов и интерметаллических соединений, в которых кристаллические поля сравнительно невелики. [37]

Рассмотренные нами результаты снова демонстрируют ценность фотоисследований для установления связи между теорией и экспериментом. Возможно, что подобные исследования в применении к окислам, содержащим ионы переходных металлов, дадут сведения, которые окажутся полезными при выяснении роли кристаллических полей в гетерогенных процессах. [38]

Новик и Уильяме [109] пришли к выводу, что эта разница ( около 170 Мгц) представляет квадрупольное взаимодействие, связанное с градиентами, создаваемыми зарядами решетки. Приняв величину а ( 1 - Y) / ( l - з) не зависящей от химического окружения и отношение Vzz ( DyFeO3) / Vzz ( DyES) равным отношению параметров VI соответствующих кристаллических полей, Новик и Уильяме получили значение около 200 см 1 для VI в DyFeO3 по известной величине V в DyES. Эта величина не вполне достоверна, так как Варне и др. [44] обнаружили, что а для иона Тт3 зависит от химического окружения; подобное заключение было сделано Хатчинсом и Реем [140] для случая. [39]

Изменение работы выхода ( а и электропроводности ( б при адсорбции и десорбции воды на ТЮз. [40]

Координационная связь может существенно изменить внутрикристал-лические поля в области атома акцептора. Возникающие кристаллические поля могут изменять Ср, Сп и Et близлежащих дефектов, превратив их в центры захвата, и нейтрализовать центры поверхностной рекомбинации. [41]

Изменение работы выхода ( а и электропроводности ( б при адсорбции и десорбции воды на TiC2. [42]

Координационная связь может существенно изменить внутрикристал-лические поля в области атома акцептора. Возникающие кристаллические поля могут изменять Ср, Сп и EI близлежащих дефектов, превратив их в центры захвата, и нейтрализовать центры поверхностной рекомбинации. [43]

Для вычисления уровней энергии иона в кристаллическом электрическом поле необходимо детально учесть форму его потенциала. В теории кристаллического поля лиганды рассматриваются как источники точечных зарядов без учета их реальной структуры. Согласно этой теории, кристаллические поля создаются отрицательными точечными зарядами, регулярно расположенными вокруг центрального парамагнитного иона. В таблице приведены некоторые наиболее часто встречающиеся типы расположения точечных зарядов. [44]

Предварительные данные по этим исследованиям указывают на то, что прямая зависимость состояния ЗЙ-электронов, локализованных на ванадии, от координационного числа ванадия не наблюдается. Однако в искаженных пирогруппах Зй-электроны локализуются только в одном положении. Следовательно, симметрия и сила кристаллических полей играют существенную роль в образовании V4 в данном узле решетки. Более четкое влияние оказывают заряд катиона и его электронное строение. [45]

Страницы: 1 2 3 4