Кристаллические поля

Cтраница 2

В зависимости от величин Д и ЭСКП разграничивают сильное, среднее и слабое кристаллические поля. Как правило, лиганды, создающие сильное поле, образуют низкоспиновые комплексы. Величина расщепления кристаллическим полем зависит от заряда, размера и стереохимии лиганда. [16]

Это верно только приблизительно, так как уровни энергии d - орбиталей для различных кристаллических полей, в данном случае октаэдрического, легко получаются только для одного d - электрона. Вычисление энергии системы с несколькими d - электронами осложняется их взаимодействием. [17]

Это верно только приблизительно, так как уровни энергии d - орбиталей для различных кристаллических полей, в данном случае октаэдрического, легко рассчитываются только для одного d - электрона. Вычисление энергии системы с несколькими d - электронами осложняется их взаимодействием. [18]

Это верно только приблизительно, так как уровни энергии с ( - орбиталей для различных кристаллических полей, в данном случае октаэдрического, легко получаются только для одного d - электрона. Вычисление энергии системы с несколькими d - электронами осложняется их взаимодействием. [20]

Однако теория поля лигандов позволяет учитывать некоторые эффекты, трудно истолковываемые с точки зрения теории кристаллических полей. [21]

В этих системах были исследованы радиационные центры методом ЭПР и термолюминесценции, а также симметрия и сила кристаллических полей как в регулярных узлах решетки методом ЯМР, так и на примесных ионах Fe3 и V4 методом ЭПР. [22]

Относительное расщепление одноэлектронной d - орби-тали в кристаллических полях различной симметрии. [23]

В табл. 10 - 8 приведены расчетные значения энергии d - орбитали, содержащей один электрон, для наиболее важных кристаллических полей. [24]

Расщепление термов на отдельные компоненты при действии лигандов на центральный ион может быть объяснено и предсказано на основе теории кристаллических полей. [25]

В монокристаллах эвкриптита были исследованы спектры ЯМР 7Li и установлено, что Li занимает два физически неэквивалентных положения в решетке, отличающиеся силой и симметрией кристаллических полей и направлением осей тензора градиента кристаллического поля. [26]

В отсутствие эффектов случайного кристаллического поля при фиксированных значениях ve и Я условие резонанса удовлетворяется лишь при одном значении ДЯ; если, с другой стороны, случайные кристаллические поля дают вклад в ширину линии, то даже при фиксированных значениях ve и Я член РДЯ и величины, входящие в формулу (4.65), могут изменяться случайным образом, не нарушая условия резонанса, пока их сумма остается постоянной. [27]

Величины энергии стабилизации кристаллического поля в единицах D q. [28]

В табл. 74 приведены значения энергий стабилизации ( в единицах А), характеризующие силу кристаллического поля в октаэдрических и плоских комплексах центральных ионов, отличающихся числом rf - электронов в случае сильного и слабого кристаллических полей. [29]

ГИТА оксваниояы находятся во внеиней сфере и участвуют только в симметричных н-связях с ближайшими к ним молекулами воды. Влияние симметрии кристаллических полей на внутренние колебания оксианионов также, очевидно, весьма невелико. [30]

Страницы: 1 2 3 4