Статическая помехоустойчивость

Cтраница 1

Статическая помехоустойчивость характеризуется наибольшей величиной постоянного напряжения, которое, будучи добавленным к полезному входному сигналу, еще не вызовет неправильного срабатывания логической микросхемы. [1]

Статическая помехоустойчивость характеризует максимально допустимое напряжение статической помехи, действующей на данную ( и соседние с ней) микросхему с одной из внешних цепей. При этом сохраняется работоспособность микросхемы в устройстве для любого допустимого по техническим условиям сочетания данной микросхемы с другими аналогичными микросхемами. [2]

Статическая помехоустойчивость характеризует максимально допустимое напряжение статичеокой помехи, действующей на данную ( и соседние с ней) микросхему с одной из внешних цепей, яри которой сохраняется работоспособность микросхемы в устройстве для любого допустимого по техническим условиям сочетания данной микросхемы с другими аналогичными микросхемами. [3]

Статическая помехоустойчивость служит основным показателем защищенности микросхем от помех. [4]

Статическая помехоустойчивость / С определяет максимально допустимое напряжение статической помехи. [6]

Статическая помехоустойчивость логических ключевых схем определяется значением напряжения, которое может быть подано на вход ключа, относительно уровня 0 или 1, не вызывая ложного срабатывания ключа. [7]

Однако статическая помехоустойчивость не дает полной информации об устойчивой работе элемента в устройстве, так как не характеризует помехоустойчивость в динамическом режиме работы. [8]

Коэффициент статической помехоустойчивости используется для сравнения по статической помехоустойчивости различных типов логических элементов. [9]

В, статическая помехоустойчивость оценивается величиной U nOM Un0p - Ыбэз 1 2 В. [10]

Указание: статическую помехоустойчивость элемента ДТЛ-типа будем характеризовать такими изменениями уровней входных сигналов ( амплитудами помех), которые вызывают переход транзистора из режима насыщения или отсечки в активный режим. [11]

В статическом режиме различают статическую помехоустойчивость по низкому и ом и высокому U [ OM уровням. [12]

В статическом режиме различают статическую помехоустойчивость по низкому U OM и высокому U5 OM уровням. [13]

Важным параметром логических ИМС является статическая помехоустойчивость. В схемах с резистивной и резистивно-емкостной связями относительно входной отпирающей помехи она определяется значениями порогового напряжения и напряжения участка коллектор - эмиттер в режиме насыщения. [14]

ВАХ управляющий электрод - катод. [15]

Страницы: 1 2 3 4