Статическая помехоустойчивость

Cтраница 4

Нагрузочная способность характеризует максимальное число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые можно одновременно подключить к ее выходу без искажения передачи информации. Чем выше коэффициент п, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение коэффициента п ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры микросхем, главным образом статическая помехоустойчивость и среднее время задержки сигнала. [46]

Передаточные характеристики синхронного элемента. [47]

Особенностью этих характеристик в отличие от характеристик элемента ТТЛ ( см. рис. 1.11), является, во-первых, отсутствие участка с малым наклоном в верхней части кривых, а во-вторых, большая крутизна характеристик на участке переключения. Эти отличия обусловлены выбранным схемотехническим решением выходного сложного инвертора элемента. Статическая помехоустойчивость, определенная по передаточным характеристикам, составляет около 1 В при нормальной температуре и около 0 4 В - при температуре 125 С. [48]

Помехоустойчивость или, как ее еще называют, шумовой иммунитет определяет допустимое напряжение помех на входах микросхемы и непосредственно связана с ее передаточной характеристикой. В общем случае этот параметр оценивается по нескольким показателям. В зависимости от продолжительности помехи различают статическую и динамическую помехоустойчивость. Статическую помехоустойчивость связывают с помехами, длительность которых больше времени переходных процессов, а динамическую - с кратковременными помехами. Для обоих видов помехоустойчивости может учитываться воздействие напряжения низкого и высокого уровней. [49]

Методики выбора серии ИС, оптимальной для той или иной разрабатываемой машины, в настоящее время не существует, так как связать воедино вопросы технологии, экономики, конструирования, изготовления и эксплуатации машины с тактико-техническими характеристиками ИС оказалось сложной задачей. Следует ожидать, что с увеличением числа микроэлектронных ЭВМ, тщательного анализа их характеристик и конструкций такая, методика будет разработана. Пока же инженеры-разработчики ЭВМ решают задачу выбора серии ИС, пользуясь различными критериями сравнения. Краз, статической помехоустойчивостью Кп, потребляемой мощностью Рпот и средней задержкой распространения сигнала / зд р ср. [50]

Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III -диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения б В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VD1, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [51]

Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III - диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения 6 В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VDI, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [52]

Нагрузочная способность характеризуется коэффициентом разветвления по выходу. Дело в том, что нагрузкой, подключаемой к выходу микросхемы, в большинстве случаев являются входные цепи других логических микросхем, причем, к одному выходу может быть подключено несколько таких входов. Коэффициент разветвления по выходу указывает наибольшее число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые могут быть одновременно подключены к ее выходу без нарушения установленных уровней выходных напряжений и быстродействия. Однако с ростом числа нагрузок обычно ухудшаются другие параметры - статическая помехоустойчивость, быстродействие микросхемы. [53]

Страницы: 1 2 3 4