Статическая помехоустойчивость

Cтраница 3

Особенностью элемента ТТЛ является то, что он имеет приблизительно одинаковую помехоустойчивость для импульсов помехи положительной и отрицательной полярности. Типовая величина статической помехоустойчивости при нормальной температуре составляет около 1 В, а при температуре 125 С - около 0 4 - 0 5 В. [31]

Входная характери - [ IMAGE ] Выходные характе-стика элемента ЭСЛ. ристики элемента ЭСЛ. [32]

На рис. 1.21 приведены передаточные характеристики элемента ЭСЛ для / 20 С и Ек - 5 2 В. По этой характеристике определяется величина статической помехоустойчивости элемента. [33]

BpeivieHHbie диаграммы напряжений на входе и выходе логической микросхемы. [34]

Сраз - коэффициент разветвления по выходу, определяющий число входов микросхем-нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу данной микросхемы; в этом смысле часто употребляют термин нагрузочная способность микросхемы; Коб - коэффициент объединения по входу, определяющий число входов микросхемы, по которым реализуется логическая функция. Допустимое напряжение статической помехи Un характеризует статическую помехоустойчивость микросхемы, ее способность противостоять воздействию мешающего сигнала, длительность которого значительно превосходит время переключения микросхемы. К воздействию помехи наиболее чувствительны микросхемы, имеющие низкий перепад логических уровней. [35]

Из графиков следует, что при уменьшении длительности помех их допустимая амплитуда увеличивается. В технических условиях на цифровые ИС обычно, приводится статическая помехоустойчивость, соответствующая горизонтальной части кривых. [36]

Эта характеристика существенно зависит от формы сигнала помехи, уровня статической помехоустойчивости и частоты переключения логического элемента. [37]

Для более полной оценки помехоустойчивости схемы наряду со статической необходимо учитывать динамическую помехоустойчивость. Помехоустойчивость в динамическом режиме зависит от длительности, амплитуды и формы сигнала помехи, а также от запаса статической помехоустойчивости и скорости переключения ЛЭ. [38]

К определению времени переключения.| Зависимость допустимое помехи от длительности.| Вольт-амперная характеристика диода.| Диодные схемы ИЛИ. а - для положительных. б - для отрицательных напряжений. [39]

Запас по динамической помехоустойчивости зависит от длительности, амплитуды, скважности и формы входного сигнала. В большинстве случаев с уменьшением длительности сигнала te на входе запас по помехоустойчивости возрастает, а при te - - oo запас по динамической помехоустойчивости стремится к статической помехоустойчивости. [40]

При этом логический перепад в схеме можно увеличить до 1 5 В ( против 0 8 В в типовой схеме) без опасности работы транзисторов в режиме насыщения и тем самым значительно ( почти на 0 35 В) увеличить запас статической помехоустойчивости. [41]

Диодно-транзисторный элемент с повышенной помехоустойчивостью. [42]

Рассмотрим, какой должна быть величина напряжения помехи на входах днодно-транзисторного логического элемента, чтобы произошло заметное изменение выходного сигнала. Рассмотрим случай статической помехоустойчивости, когда длительность помехи превосходит длительность изменения состояния схемы. [43]

ИС в динамическом режиме, зависит от амплитуды и длительности сигнала помехи, скорости переключения основного логического элемента в серии и его статической помехоустойчивости. Как правило, динамическая помехоустойчивость той или иной серии микросхем устанавливается на триггере, составленном из основных элементов этой серии. Характеристикой динамической помехоустойчивости служит критическая длительность импульса помехи тк, при которой ее амплитуда соответствует уровню статической помехоустойчивости элемента. [44]

Нагрузочная способность характеризует максимальное число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые можно одновременно подключать к ее выходу без искажения передачи информации. Чем выше коэффициент п, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение коэффициента п ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры микросхем, главным образом статическая помехоустойчивость и среднее время задержки сигнала. [45]

Страницы: 1 2 3 4