Понижение - потенциальный барьер
Cтраница 1
 |
Зависимость тока от напряжения на аноде ( а и влияние внешнего поля на высоту и форму потенциального барьера на границе металл-вакуум при эффекте Шотт-ки ( б и холодной эмиссии ( б. [1] |
Понижение потенциального барьера под действием внешнего поля называется, эффектом Шоттки. [2]
Понижение потенциального барьера на U0 увеличивает поток электронов из я-области и поток дырок из р-области через переход. [3]
Наряду с понижением внешнего потенциального барьера здесь наблюдается как частичное проникновение электрич. [4]
В то же самое время понижение потенциального барьера увеличивает дырочный ток в том же самом отношении. [5]
 |
Зависимость тока от напряжения на аноде ( а и влияние внешнего поля на высоту и форму потенциального барьера на границе металл-вакуум при эффекте Шотт-ки ( б и холодной эмиссии ( б. [6] |
Внешнее ускоряющее поле вызывает не только понижение потенциального барьера, но и уменьшение его толщины d ( рис. 8.8, в), что в полях достаточно высокой напряженности ( 109 В / м) делает такой барьер достаточно прозрачным для туннельного просачивания электронов и выхода их из твердого тела. [7]
В результате прямого смещения перехода с понижением потенциального барьера ( жирная и штриховая линии на рис. 3.3 6) эмиттер инжектирует свои основные носители заряда - электроны - в базу. Одновременно из области базы ее основные носители заряда - дырки - перемещаются через переход в эмиттер. Обе эти составляющие ( электронная и дырочная) образуют ток эмиттера / э, аналогичный прямому току диода. Поскольку переход выполняется несимметричным ( ппр), т.е. концентрация электронов в эмиттере на несколько порядков превышает концентрацию дырок в базе, то удельный вес дырочной составляющей этого тока сравнительно мал. Попавшие в базу электроны становятся неосновными носителями заряда и перемещаются в ней главным образом за счет диффузии: от левого перехода с избыточной их концентрацией к правому переходу с недостаточной концентрацией. Электрическое поле в толще базы практически не оказывает влияния на движение электронов, поскольку их заряды частично скомпенсированы зарядами окружающих дырок. [8]
 |
Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода в германии. [9] |
Это явление легко понять, так как с понижением потенциального барьера все большее число носителей сможет его преодолеть. [10]
 |
Расчетная схема для определения выходного сопротивления каскада. [11] |
При гвн / 0 увеличение коллекторного напряжения приводит к понижению эмиттерного потенциального барьера и к росту коллекторного тока, так как напряжение между эмиттером и базой растет. Коллекторные характеристики в этом случае увеличивают наклон, что соответствует уменьшению выходного сопротивления. Если rSHoo ( база питается от генератора тока / боconst), падение напряжения нз эмиттерном переходе и наклон коллекторных характеристик становятся самыми большими, а выходное сопротивление триода - наименьшим. [12]
Сильные поля вызваны здесь конфигурацией поверхности и приводят к понижению потенциального барьера адсорбированных атомов и, следовательно, к уменьшению потенциала их ионизации. [13]
Накопление избыточных зарядов не может продолжаться беспредельно, так как одновременно происходит понижение потенциального барьера на величину U и усиление встречной диффузии основных носителей - электронов из - области в р-область и дырок в противоположном направлении. [14]
Ток неосновных носителей через переход остается практически неизменным, в то время как с понижением потенциального барьера большее число электронов может перейти в р-область и большее число дырок - в п-область. [15]
Страницы: 1 2 3