Понижение - потенциальный барьер
Cтраница 3
Поскольку процесс генерации пар электрон - дырка продолжается все время, пока освещен контакт, можно было бы ожидать понижения контактной разности потенциалов до нуля. В действительности этого не происходит, так как понижение потенциального барьера облегчает преодоление его основными носителями, потоки которых быстро возрастают и при некотором пониженном значении контактной разности потенциалов, зависящем от интенсивности освещения, уравновешивают поток носителей, генерируемых светом. [31]
Физически это означает, что на место рекомбинировавших дырок в базу из внешней цепи поступают новые дырки в таком количестве, чтобы поддержать нейтральность базы. Приход дырок в базу равноценен рассасыванию электронов из базы с соответствующим понижением потенциального барьера эмиттер-ного перехода. [32]
 |
Схема переключения тиристора ( а, форма импульса на управляющем электроде ( б, зависимость напряжения на тиристоре ( е и тока через него ( г от времени. [33] |
Накопленный отрицательный заряд понижает потенциальный барьер перехода П, что приводит к инжекции дырок в n - базу. Через время tn - W2nj2Dp инжектированные дырки продиффундируют через базу n - типа и перенесутся полем коллектора в р-базу, что вызовет понижение потенциального барьера перехода Я3 и дальнейший рост инжекции электронов. Как только ток через структуру станет равным / Ср ( рис. 5.25), управляющий импульс может быть снят, так как условия для лавинного нарастания тока созданы. [34]
По-видимому, во всех рассмотренных выше реакциях важную роль играют не успевшие термолизоваться горячие носители заряда. Это подтверждает высокий порог фотодиссоциации молекул воды на кремнии пор Ь5 Eg, где Eg - запрещенная зона кремния. При захвате горячих носителей происходит понижение потенциальных барьеров, отделяющих адсорбционные медленные состояния от разрешенных зон полупроводника. [35]
Для трех измеренных фенолов энергия активации обмена хорошо коррелируется уравнением Гаммета. Корреляционные прямые для Е и АЯ имеют наклоны противоположных знаков: р - 3 8 и 1 1 соответственно. Как и следовало ожидать, увеличению энергии водородной связи соответствует понижение потенциального барьера обмена и увеличение его скорости. [36]
 |
Тонкопленочная система. металл - диэлектрик - металл. [37] |
Часто эту Зависимосоть аппрок-4 симируют квадратной параболой. Такую аппроксимацию называют параболической. Из рис. 10.1 6 видно, что силы электрического изображения вызывают понижение потенциального барьера и уменьшение его толщины, делая барьер более прозрачным для прохождения электронов. [38]
При отрицательном напряжении на аноде крайние переходы Л и / з смещаются в обратном направлении. Вследствие протекания тока / упр Р происходит инжекция электронов в р-базу четырехслойной структуры. Избыточные носители диффундируют к переходу / 2, и концентрация носителей у этого перехода становится выше равновесной, что приводит к понижению потенциального барьера. В результате дырки из р-базы инжектируются в - базу и, достигая перехода Л, увеличивают его обратный ток. [39]
Происходит активация процессов самодиффузии и гетеродиффузии. Коэффициент диффузии возрастает на два-три порядка. Рост коэффициента диффузии вызван несколькими причинами. Среди них наибольшее значение имеет увеличение концентрации дефектов структуры и понижение эффективных потенциальных барьеров для диффузии. [41]
Составляющая тока возбуждения / ш является током термо - и автоэлектронной эмиссий. Ее величина определяется формулой Ричардсона для тока термоэлектронной эмиссии, однако в этой формуле необходимо учесть эффект действия поля. В связи с тем, что размер / 5-л-перехода значительно больше размера атома, можно пренебречь туннельным эффектом и описать влияние электрического поля на ток / В1 на основе классических представлений теории Шоттки. В соответствии с этой теорией при подаче напряжения на переход происходит понижение потенциального барьера, в результате чего некоторое количество носителей может покинуть область, в которой они были закреплены. [42]
Поскольку автор предисловия является физиком, то это и предопределяет приводимые примеры, иллюстрирующие нарастающую важность случайных процессов. Андерсоном еще в [ П2 ] были высказаны аргументы и найдены условия, при которых за счет рассеяния на случайном потенциале примесей каждый электрон оказывается локализованным в определенной области проводника. Иначе говоря, проводимость металла ( теперь уже бывшего металла) обращается в нуль. Разумеется, андерсоновская локализация не может быть выделенным примером в природе. Необходим направленный поиск связанных состояний ( а также обратных явлений - понижения потенциального барьера), обязанных эффективному влиянию случайных сил на движение системы. [43]
Для определенности предположим, что в область базы из коллектора вошел электрон. Область базы стала заряженной отрицательно. Если бы вывод базы был включен в цепь, то поле, возникшее при этом в базе, привело бы к уходу одного электрона во внешнюю цепь через вывод базы. Электрическое равновесие было бы восстановлено. Так как вывод базы не соединен со схемой, то отрицательный заряд в базе приведет к понижению потенциального барьера эмит-терного перехода и вызовет инжекцию дырок в область базы. [44]
Страницы: 1 2 3