Понижение - потенциальный барьер
Cтраница 2
Из уравнения (6.85) следует, что уменьшение давления в системе способствует увеличению скорости зародышеобразования за счет понижения потенциального барьера и увеличения предэкспо-ненциального множителя. Вблизи равновесного давления скорость образования зародышей стремится к нулю, так как энергетический барьер становится бесконечным. [16]
Обратный порядок термодинамической устойчивости ароматического соединения и его валентного изомера с увеличением температуры авторы работы [125] объясняют понижением потенциального барьера внутреннего вращения пен-тафторэтильной группы в бензоле Дьюара по сравнению с ароматическим соединением. [17]
Молекула, находящаяся в основном состоянии, может быть переведена в реакционноспособное состояние только двумя способами: путем понижения потенциального барьера, что возможно лишь при наличии очень сильных внешних полей, и путем возбуждения молекулы на энергетический уровень, лежащий ближе к барьеру диссоциации. Для этой цели к адсорбированной молекуле следует подвести энергию, чтобы привести ее в колебательное состояние вблизи точки пересечения потенциальной кривой с кривой отталкивания. Таким образом, в гетерогенной реакции активация молекул вызывается катализатором, тогда как в гомогенных реакциях она обусловлена механизмом столкновения. Согласно ранее высказанным положениям, активация адсорбированной молекулы посредством столкновения возможна в том случае, если считать, что термически активированные носители тока твердого тела участвуют в столкновении. При неупругом столкновении носителей тока с адсорбированными молекулами, которые играют роль дефектов кристаллической решетки, можно передать полную термическую энергию активации. Таким образом, носители тока снова локализуются. Уровни возбуждения N2O представляют собой величины валентных колебаний и равны 0 2 эв, энергия диссоциации на N2 и О равна 1 5 эв и энергия диссоциации на N и N0 равна 4 6 эв. [18]
Формула ( 63) учитывает прохождение электронов сквозь потенциальный барьер, тогда как формула Шоттки ( 61) учитывает лишь понижение потенциального барьера. [20]
Накопление фотоносителей в соответствующих областях имеет ограничение: одновременно с накоплением ( дырок в р-области и электронов в n - области) происходит понижение потенциального барьера Е0 на значение возникшей фото - ЭДС Еф. Очевидно, что Еф должна быть меньше Е0, так как разделение фотоносителей возможно только при наличии некоторого потенциального барьера Д.Е. Уменьшение высоты потенциального барьера и соответственно напряженности электрического поля в р-п переходе ухудшает разделительные свойства р-п перехода. [21]
Анализируя экспериментальные результаты, Френкель пришел к выводу, что энергия активации W уменьшается с повышением температуры вследствие теплового расширения жидкости, что приводит к понижению потенциального барьера. [22]
Сильное электрическое поле приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда в результате ударной ионизации, эффекта Зинера или внутренней холодной эмиссии, эффекта роста термического возбуждения вследствие понижения потенциального барьера, эффекта Штарка. [23]
Сильное электрическое поле приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда в результате ударной ионизации, эффекта Зинера, или внутренней холодной эмиссии, эффекта роста термического возбуждения вследствие понижения потенциального барьера, эффекта Штарка. [24]
Основываясь на выведенном им уравнении объемного заряда, образующегося в плазме у отрицательного электрода, Лэнгмюр пришел к заключению, что поле объемного заряда у катода дуги может оказаться достаточным для извлечения электронов из металла посредством понижения потенциального барьера. Принципиально новым в этой работе было то, что в ней учитывалось влияние эмиттируемых катодом электронов на объемный заряд у катода и обусловленное им поле. Следует заметить, что за отсутствием заслуживающих доверия опытных данных о протяженности слоя объемного заряда одним из средств проверки действенности автоэлектронной теории дуги до настоящего времени остается вычисление поля у поверхности катода по данным плотности тока с помощью уравнения объемного заряда. Из теории Лэнгмюра известно, что объемный заряд у отрицательного электрода создается движущимися к нему из плазмы положительными ионами, плотность тока которых определяется концентрацией ионов в плазме. Эмиттируемые катодом электроны в большей или меньшей степени компенсируют положительный объемный заряд, вследствие чего результаты вычисления напряженности поля зависят от того, как велика часть тока, переносимого ионами. Компенсирующее действие электронов может оказаться практически полным, если плотности электронного и ионного токов относятся, как квадратные корни из масс иона и электрона. Отсюда следует, что в случае ртутной дуги доля ио нного тока ( 1 - К) в общем балансе тока у катода должна быть во всяком случае больше Vem - Максимально возможное значение ( 1 - К) может быть оценено на основании соображений об эффективности ионизационного процесса в области отрицательного свечения. Основным процессом ионизации в области отрицательного свечения долгое время считалась ионизация - посредством однократных соударений атомов ртути с ускоряемыми в катодном падении электронами, основанием для чего служило кажущееся совпадение величин катодного падения и ионизационных потенциалов для некоторых материалов катодов. [25]
Имея в виду, что 1) ионы доноров в - области положительны, а ионы акцепторов в р-области имеют отрицательный знак, 2) сопротивление в цепи эмиттера должно быть малым, а сопротивление в цепи коллектора высоким, 3) необходимо включить внешнюю батарею в цепи эмиттера так, чтобы вызвать понижение потенциального барьера на границе контакта, а внешнюю батарею в цепи коллектора так, чтобы повысить этот потенциальный барьер, легко можно убедиться в правильности составления схемы с учетом действия эквивалентных батарей, иммитирующих действие потенциальных барьеров на переходах. [26]
С увеличением температуры или освещенности увеличивается число неосновных носителей заряда, накапливаемых по обе стороны р - - перехода в результате разделения. Это вызывает понижение потенциального барьера на величину термо-или фотоэлектродвижущей силы. [28]
Следовательно, при повышении температуры поток неосновных носителей через переход ( ток проводимости) резко возрастет. Рост тока проводимости приводит к понижению потенциального барьера из-за частичной компенсации зарядов ионизированных атомов по обе стороны границы между р - и л-областями. Соответственно увеличивается поток основных носителей и динамическое равновесие токов сохраняется. [29]
С этого момента начинается рост не только тока коллектора, но и тока эмиттера. Увеличение тока дырок эмиттера обусловлено понижением потенциального барьера эмиттерного перехода, вследствие появления в области базы нескомпенсированного отрицательного заряда электронов. Последний возникает за счет того, что потенциальный барьер р-л-переходов препятствует свободному уходу электронов из базы. Рост тока дырок через эмит-терный переход и соответственно рост тока коллектора будет продолжаться до тех пор, пока повышение концентрации дырок ( соответственно и электронов) в базе, а значит и скорости рекомбинации, не приведет к тому, что ток базы будет идти только на рекомбинацию. После окончания импульса тока базы / б концентрация дырок в базе падает за счет рекомбинации и ухода в коллектор. Вследствие этого градиенты концентрации дырок на границах эмиттерного и коллекторного переходов уменьшаются, а значит уменьшаются токи эмиттера и коллектора. [30]
Страницы: 1 2 3