Cтраница 2
Для нахождения оптимального портфеля вводится понятие линии SML - линия рынка ценных бумаг. [16]
Для графического изображения поля вводится понятие линий соответствующего вектора. Линиями напряженности называются линии, в каждой точке которых касательная совпадает с вектором напряженности. [17]
В § 3.1 мы ввели понятие линий вектора магнитной индукции и условились проводить не все эти линии, а совершенно определенное их число. При этом условии густота линий на рисунке наглядно показывает, где поле сильнее, а где слабее. [18]
Для случая шарнирных и фрикционных механизмов понятие линий действия обобщается и - принимается, что ее направление совпадает с направлением рабочего усилия. [19]
![]() |
Определение магнитного поля в центре кругового витка с током. Соленоид. [20] |
Для качественной характеристики магнитного поля вводится понятие линий магнитной индукции, или магнитной линии. Можно еще сказать по-другому: магнитная линия - это линия, по касательной к которой располагается магнитная стрелка. [21]
В § 3 1 мы ввели понятие линий вектора магнитной индукции и условились проводить не все эти линии, а совершенно определенное их число. При этом условии густота линий на рисунке наглядно показывает, где поле сильнее, а где слабее. [22]
![]() |
Линии тока. [23] |
Для анализа движения жидкости удобно пользоваться понятием линий тока. [24]
В ряде случаев оказывается удобнее пользоваться понятием линии тока. [25]
Для анализа движения жидкости удобно пользоваться понятием линий тока. [26]
Кроме линий тока и траекторий иногда используют понятие линии отмеченных частиц. Так называют линию, на которой в данный момент расположены частицы, прошедшие в разное время через одну и ту же точку пространства. При установившемся движении линии отмеченных частиц совпадают с траекториями и линиями тока. [27]
Полоса интерференции названа контурной по аналогии с картографическим понятием линии одинаковых уровнен. [28]
Одним из основных понятий в теории дислокаций является понятие линии дислокации. Линией дислокации называется та воображаемая линия в кристалле, вдоль которой ( в ее малой окрестности) концентрируются максимальные искажения решетки. Фактически при возникновении дислокации кристаллическая решетка остается неискаженной везде, за исключением области, непосредственно окружающей линию дислокации. Особенность этой линии заключается в том, что она никогда не заканчивается ( не обрывается) в кристалле, а выходит на его поверхность, замыкается на себя, образуя петлю, или замыкается на другие линии дислокации. [29]
Эта задача по существу равносильна задаче об экспликации понятия линии. [30]