Быстродействие - схема
Cтраница 2
Быстродействие схемы характеризуется величиной задержки распространения сигнала / Зд - Из результатов, полученных в § 3.1, следует, что величина задержки распространения сигнала в основном определяется временами заряда и разряда емкостей транзистора и схемы и ее можно выразить как сумму времен фронта и спада выходного - импульса логической схемы. [16]
Быстродействие входной однополярной схемы повышается при уменьшении ее постоянной времени. Однако форма сигнала при этом отклоняется от прямоугольной, приближаясь к импульсной пропорционально этому уменьшению, что вызывает необходимость включения выходного фильтра после демодулятора. [17]
 |
Изоляция с помощью карбида кремния.| Изоляция приборов. [18] |
Причем быстродействие схем повышается в два раза. Однако метод довольно сложен, причем трудно получить пластинку с плоской поверхностью. [19]
Оценим максимально возможное быстродействие схемы, значение которого зависит от скорости срабатывания триггера и времени задержки импульса в цепи связи. При этом полагаем, что дифференцирующая цепочка и цепь связи обеспечивают необходимый коэффициент передачи перепада напряжения. [20]
 |
Структурная схема АЦП параллельно-последовательного типа.| Структурная схема АЦП параллельного типа. [21] |
По быстродействию схемы последовательно-параллельных АЦП занимают промежуточное положение между АЦПП и АЦППП, но по сложности они близки к АЦПП, несмотря на значительно меньшее число компараторов. [22]
Чувствительность и быстродействие схем сравнения ( СС) определяют быстродействие и точность отработки управляющего воздействия всей СУ. На один из дифференциальных входов операционного усилителя подается опорный сигнал, а на другой - сравниваемый сигнал. В момент равенства сигналов операционный усилитель переходит из одного состояния в противоположное. Такие схемы сравнения, построенные на основе компаратора, имеют чувствительность порядка единиц милливольт и быстродействие порядка единиц микросекунд. Погрешность их определяется шириной зоны нечувствительности операционного усилителя. Однако в некоторых случаях схемы сравнения не обеспечивают достаточной чувствительности и быстродействия. Поэтому для увеличения быстродействия операционного усилителя вводят положительную обратную связь ( R2, рис. 8.34, е, ж) и отрицательную обратную связь ( RJ для уменьшения зоны нечувствительности и стабилизации рабочего режима усилителя. На рис. 8.34, ж изображена схема сравнения двух периодически изменяющихся сигналов. Операционный усилитель Ух включен по схеме усилителя, а У2 - по схеме компаратора с положительной обратной связью. Для согласования выхода компаратора с входом ТТЛ интегральных схем применяется цепочка ( рис. 8.34, з), состоящая из диодов Blf В2 и резистора R0, ограничивающего величину выходного тока. [23]
 |
Источник пом. пл пом. отрА / 7вых / 2 - 2фт. [24] |
Для повышения быстродействия схемы необходимо отсутствие насыщения транзисторов. А при увеличении перепада выходного сигнала I3RK, как видно из (8.5), транзисторы логической ячейки приближаются к режиму насыщения. Так как возможности увеличе-ния перепада выходного сигнала оказываются - ограниченными, то помехоустойчивость схем также не может превысить определенного предела. [25]
Для увеличения быстродействия схемы и получения более мощного импульса питание схемы осуществляется током высокой частоты. [26]
 |
Вольт-амперные характеристики параллельных цепей, образованных позистором и линейным резистором. [27] |
Для увеличения быстродействия схемы и уменьшения длительности и амплитуды переходного процесса целесообразно использовать дифференцирующую ЛС-цепочку, которая выдает сигнал, пропорциональный скорости изменения выходного напряжения. Эта цепочка включается параллельно участку эмиттер - база мощного транзистора, входящего в составной транзистор. [28]
 |
Простейшие схемы ячеек хранения с записью на ТОЭ-клю-чах с диодами Шоттки с записью при В3ап1 ( а-в и при Взап 0 ( г, д. [29] |
Для повышения быстродействия схем введены диоды Шоттки. Сравнение схем на рис. 9.5 показывает, что схемы а и б принципиально подобны друг другу, но первая из них должна занимать меньшую площадь на кристалле. Ясно также, что схемы вид должны быть почти идентичными по своим характеристикам. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5