Быстродействие - схема
Cтраница 5
С другой стороны, для повышения быстродействия схемы следует уменьшать разброс входных характеристик транзисторов, что вызывает определенные технологические трудности при изготовлении транзисторов и особенно твердых схем. Как было показано, разброс входных характеристик может быть уменьшен за счет увеличения сопротивления гб. [61]
 |
Функциональная схема цепи переноса сумматора. [62] |
При достаточно большом значении i и умеренном быстродействии схем совпадения задержка сигналов по двум этим путям может достичь значения IT, где т - время срабатывания схемы совпадения. Так как сигналы переноса для образования суммы поступают на вход запоминающих элементов, то они могут вызвать двойное срабатывание, или нежелательный переходной процесс за счет искажения входного сигнала. [63]
Дополнительное ограничение разброса параметров триодов тоже увеличивает быстродействие схемы, но в значительно меньшей степени. [64]
 |
Многоступенчатые логические схемы на МДП-транзисторах р-типа. [65] |
Нагрузочная способность МДП-ИС р-типа ограничивается лишь снижением быстродействия схем с ростом числа нагрузокдак как увеличивается постоянная времени заряда паразитной емкости нагрузки ( Сн) током, протекающим через нагрузочный МДП-транзистор. С 20 пФ ( п 8 - 10) дает постоянную времени заряда RnCa 0 5 - 2 икс. [66]
 |
Дискриминатор с диодными параллельными ключами. [67] |
Выбор несущей частоты определяется требованиями к степени быстродействия схемы. Наиболее удобно применять несущую частоту порядка нескольких десятков килогерц. [68]
Необходимость медленного возвращения дросселей в первоначальное состояние снижает быстродействие схемы. [69]
 |
Диодно-транзисторный элемент И-НЕ. [70] |
CM выбирают из условий обеспечения надежности работы и быстродействия схемы: величина сопротивления К должна обеспечивать получение достаточного базового тока для включения транзистора с наименьшим коэффициентом усиления и заданную степень насыщения транзистора ( однако базовый ток не должен быть чрезмерно большим, иначе большим будет и время выхода транзистора из состояния насыщения); величина емкости Сб должна быть такой, чтобы обеспечить достаточные токи в базу транзистора при его включении и выключении. Сопротивление см, подключенное к положительному потенциалу источника питания, должно обеспечить обратный ток базы, равный току коллектора при разомкнутом эмиттере при наивысшей рабочей температуре. Рассмотрим работу данной схемы. [71]
 |
Феррит-транзисторная ячейка с отрицательной обратной связью. [72] |
Включение параллельно сопротивлению R3 емкости позволяет существенно повысить быстродействие схемы, так как в момент переключения по цепи база - эмиттер протекает большой емкостный ток ( гл. Время рассасывания уменьшается также в результате введения запирающего смещения в цепь базы. [73]
Стабильность работы автоматических систем зависит от надежности и быстродействия схем автоматической компенсации различия в температурах стандартного и анализируемого растворов, что становится особенно важным в многоэлементных анализаторах. [74]
Имеется еще одно обстоятельство, указывающее на связь быстродействия схемы с рассеиваемой мощностью. При использовании описанной выше методики расчета обычно получаются величины RK порядка нескольких килоом. В этом случае существенное влияние на длительность переходных процессов оказывает коллекторная емкость триода. Поэтому для повышения быстродействия схемы следует уменьшать сопротивления RK. Это заставляет работать при токах / кн, больших оптимального, что ведет к увеличению рассеиваемой мощности. [75]
Страницы: 1 2 3 4 5