Быстродействие - схема
Cтраница 4
 |
Дискретные электропневматические преобразователи. - системы УСЭППА. б - фирмы Телемеканик. в - системы М5 фирмы ФЕСТО. г - системы ДРЕЛОБА. д - фирмы Самсон. [46] |
Для сочетания высокого - быстродействия однокаокадной схемы с высокой выходной мощностью двухкаскаднои схемы, автор1 предлагает схему непосредственного управления овевмоконтактами логического элемента НЗ или НО ( ом. Преобразователь может быть соответственно элементом НЗ или НО. [47]
Это достигнуто благодаря повышению быстродействия схем ( тактовая частота составляет 5 - 8 МГц) и архитектурным усовершенствованиям. [48]
 |
Построение входной. [49] |
Если исходить из соображений быстродействия схемы, то результат получится иным: введение в базовые цепи резисторов снижает скорость переключения транзисторов, так как уменьшает токи управления в переходных процессах. [50]
 |
Схема ЗАПРЕТ. [51] |
В случае необходимости увеличения быстродействия схемы резистор R6 шунтируется емкостью Сб, которая в момент переключения транзистора ускоряет установление переходных процессов в цепи базы при смене уровней входных сигналов. [52]
Как правило, чем выше быстродействие схем, тем больше средняя потребляемая ими мощность. [53]
 |
Зависимость времени включения твкл от мощности переключающего импульса. [54] |
Таким образом, для повышения быстродействия схемы желательно производить переключение импульсами возможно большей мощности. При достаточно большой мощности переключающего импульса время задержки может быть сведено практически к нулю. Время фронта в современных переключающих диодах составляет 0 1 мксек и менее. Имеется сообщение о разработке лабораторией Bell Telephone ( США) переключающих диодов с временами включения и выключения около 10 нсек. [55]
Задержка распространения сигнала, которая характеризует быстродействие схемы и представляет собой среднее время задержки выходного сигнала относительно сигнала на входе. Основными факторами, определяющими задержку-распространения сигнала через схему, являются емкости переходов транзисторов и диодов, паразитные емкости между компонентами интегральной схемы и подложкой, а также инерционность процесса переключения диодов и транзисторов, обусловленная процессами накопления и рассасывания заряда в их структурах. [56]
 |
Сенсорный переключатель на оптопаре.| Функциональная схема фотоэлектрического рьле.| Схемы ФЭР. [57] |
Использование в ФЭР фотодиодов позволяет повысить быстродействие схемы. [58]
 |
Схемы многовходовых ческих МДП-ИМС. [59] |
Нагрузочная способность МДП-ИМС ограничивается только уменьшением быстродействия схем с ростом количества нагрузок, поскольку при этом увеличивается паразитная емкость. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5